RN73G2A110KDTG,215-4648,TE Connectivity RN73 系列 0.1W 110kΩ 薄膜 精密SMD 电阻器 RN73G2A110KDTG, ±0.5%, ±50ppm/°C, 0805 封装 ,TE Connectivity
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TE Connectivity RN73 系列 0.1W 110kΩ 薄膜 精密SMD 电阻器 RN73G2A110KDTG, ±0.5%, ±50ppm/°C, 0805 封装

制造商零件编号:
RN73G2A110KDTG
库存编号:
215-4648
TE Connectivity RN73G2A110KDTG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
操作
RN73G2A110KDTG
库存编号:1638938
TE Connectivity RN 0805 SMT precision chip resistor,110K, RL980
1000起订
1000+
2000+
4000+
¥0.91
¥0.89
¥0.88
1-3周询价 询价
RN73G2A110KDTG
库存编号:2154648P
TE Connectivity RN 0805 SMT precision chip resistor,110K, RL980
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5起订
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RN73G2A110KDTG产品详细信息

105Ω 至 249kΩ 0.5%

阻值范围105Ω 至 249kΩ
70°C 时功率0.1W
电阻容差±0.5%
温度系数±10ppm/°C <100kΩ, ±50ppm/°C >100kΩ
工作温度-55°C → +125°C
工作电压100V(最大值)
过载电压200V(最大值)
长度2 mm
宽度1.25 mm

RN73G2A110KDTG产品技术参数

  长度  2mm  
  尺寸  2 x 0.5mm  
  电阻值  110 kΩ  
  额定功率  0.1W  
  封装/外壳  0805  
  高度  0.5mm  
  技术  薄膜  
  容差  ±0.5%  
  深度  1.25mm  
  外壳样式  模制  
  温度系数  ±50ppm/°C  
  系列  RN73  
  最大温度系数  +50ppm/°C  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +125°C  
  最小温度系数  -50ppm/°C  
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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
RN73G2A110KDTG
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TE Connectivity Ltd

Resistor, Thin Film, Res 110 Kilohms, Pwr-Rtg 0.1 W, Tol 5%, SMT, 0805

RoHS: Compliant

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无图RN73G2A110KDTG
TE Connectivity
电阻器,精密,片型,SMT,0805,0.5%,110k
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

TE Connectivity - RN73G2A110KDTG - 0805 SMT Tol 5% Pwr-Rtg 0.1 W Res 110 Kilohms Thin Film Resistor|70063742 | ChuangWei Electronics
TE Connectivity
Resistor; Thin Film; Res 110 Kilohms; Pwr-Rtg 0.1 W; Tol 5%; SMT; 0805


型号:RN73G2A110KDTG
仓库库存编号:70063742

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TE Connectivity - RN73G2A110KDTG - 0805 SMT Tol 5% Pwr-Rtg 0.1 W Res 110 Kilohms Thin Film Resistor|70063742 | ChuangWei Electronics
TE Connectivity
Resistor; Thin Film; Res 110 Kilohms; Pwr-Rtg 0.1 W; Tol 5%; SMT; 0805


型号:RN73G2A110KDTG
仓库库存编号:70063742

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TE Connectivity - RN73G2A110KDTG - TE Connectivity RN73 系列 0.1W 110kΩ 薄膜 精密SMD 电阻器 RN73G2A110KDTG, ±0.5%, ±50ppm/°C, 0805 封装

制造商零件编号:
RN73G2A110KDTG
品牌:
TE Connectivity
库存编号:
215-4648
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

RN73G2A110KDTG产品技术参数资料

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