IS61LV5128AL-10TLI,391-696,ISSI IS61LV5128AL-10TLI, 4Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 8 位, 3.135 → 3.63 V, 44针 TSOP封装 ,ISSI
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ISSI IS61LV5128AL-10TLI, 4Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 8 位, 3.135 → 3.63 V, 44针 TSOP封装

制造商零件编号：
IS61LV5128AL-10TLI
制造商：
ISSI ISSI
库存编号：
391-696
ISSI IS61LV5128AL-10TLI
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IS61LV5128AL-10TLI产品详细信息

静态 RAM，ISSI

ISSI 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源：1.8V/3.3V/5V
提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择：x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM

IS61LV5128AL-10TLI产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  18.52mm  
  尺寸  18.52 x 10.29 x 1.05mm  
  存储器大小  4Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  TSOP  
  高度  1.05mm  
  计时类型  异步  
  宽度  10.29mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  位址总线宽  19Bit  
  引脚数目  44  
  字组数目  512K  
  组织  512K 个字 x 8 位  
  最长随机存取时间  10ns  
  最大工作电源电压  3.63 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  3.135 V  
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安装类型 表面贴装  ISSI 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  ISSI SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 18.52mm  ISSI 长度 18.52mm  SRAM 存储器芯片 长度 18.52mm  ISSI SRAM 存储器芯片 长度 18.52mm   尺寸 18.52 x 10.29 x 1.05mm  ISSI 尺寸 18.52 x 10.29 x 1.05mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 18.52 x 10.29 x 1.05mm  ISSI SRAM 存储器芯片 尺寸 18.52 x 10.29 x 1.05mm   存储器大小 4Mbit  ISSI 存储器大小 4Mbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit  ISSI SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit   低功率 是  ISSI 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  ISSI SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 TSOP  ISSI 封装类型 TSOP  SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP  ISSI SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP   高度 1.05mm  ISSI 高度 1.05mm  SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm  ISSI SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm   计时类型 异步  ISSI 计时类型 异步  SRAM 存储器芯片 计时类型 异步  ISSI SRAM 存储器芯片 计时类型 异步   宽度 10.29mm  ISSI 宽度 10.29mm  SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm  ISSI SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm   每字组的位元数目 8Bit  ISSI 每字组的位元数目 8Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   位址总线宽 19Bit  ISSI 位址总线宽 19Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit   引脚数目 44  ISSI 引脚数目 44  SRAM 存储器芯片 引脚数目 44  ISSI SRAM 存储器芯片 引脚数目 44   字组数目 512K  ISSI 字组数目 512K  SRAM 存储器芯片 字组数目 512K  ISSI SRAM 存储器芯片 字组数目 512K   组织 512K 个字 x 8 位  ISSI 组织 512K 个字 x 8 位  SRAM 存储器芯片 组织 512K 个字 x 8 位  ISSI SRAM 存储器芯片 组织 512K 个字 x 8 位   最长随机存取时间 10ns  ISSI 最长随机存取时间 10ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 10ns  ISSI SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 10ns   最大工作电源电压 3.63 V  ISSI 最大工作电源电压 3.63 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.63 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.63 V   最低工作温度 -40 °C  ISSI 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  ISSI 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 3.135 V  ISSI 最小工作电源电压 3.135 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3.135 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3.135 V  
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IS61LV5128AL-10TLI
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IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP

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IS61LV5128AL-10TLI-TR
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SRAM 4Mb 512Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

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SRAM 4Mb 512Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

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SRAM 4Mb 512Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

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SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R

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SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II (Alt: IS61LV5128AL-10TLI)

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SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II - Bulk (Alt: IS61LV5128AL-10TLI)

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SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R - Tape and Reel (Alt: IS61LV5128AL-10TLI-TR)

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SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R (Alt: IS61LV5128AL-10TLI-TR)

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SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II

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4MB,HIGH-SPEED/LOW POWER,ASYNC

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SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II

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IC, SM SRAM 4Mb 512K X 8, 3V 10NS

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IS61LV5128AL-10TLI
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SRAM Operating temperature: -40...+85 °C Power supply: 3.1...3.3 V Supply current: 95 mA Organisation: 512 k x 8 Package: TSOP-44 (Type II)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61LV5128AL-10TLI - IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP		ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 44-TSOP II

型号：IS61LV5128AL-10TLI
仓库库存编号：706-1038-ND
别名：706-1038 <br>IS61LV5128AL10TLI <br> 		无铅搜索

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61LV5128AL-10TLI-TR - IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP		ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 10ns 44-TSOP II

型号：IS61LV5128AL-10TLI-TR
仓库库存编号：IS61LV5128AL-10TLI-TR-ND
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ISSI - IS61LV5128AL-10TLI - ISSI IS61LV5128AL-10TLI, 4Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 8 位, 3.135 → 3.63 V, 44针 TSOP封装
制造商零件编号：
IS61LV5128AL-10TLI
品牌：
ISSI
库存编号：
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IS61LV5128AL-10TLI
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61LV5128AL-10TLI		1077676

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)

芯片, SRAM 4MB 512K X 8 3V 10ns

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IS61LV5128AL-10TLI|INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)IS61LV5128AL-10TLI
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)		芯片 存储器 SRAM 4MB 10NS TSOP-2-44
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IS61LV5128AL-10TLI-TR|ISSIIS61LV5128AL-10TLI-TR
ISSI		静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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IS61LV5128AL-10TLI|ISSI, Integrated Silicon Solution IncIS61LV5128AL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc		IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
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IS61LV5128AL-10TLI|INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)IS61LV5128AL-10TLI
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)		芯片 存储器 SRAM 4MB 10NS TSOP-2-44
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ISSI		静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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IS61LV5128AL-10TLI产品技术参数资料

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