一系列 Wolfspeed SiC(碳化硅)肖特基二极管相对于标准的肖特基势垒二极管实现了显著改善。 SiC 二极管提供更高的击穿场强度和更高的导热性,在较高的切换频率下可显著减少功率损耗。 SiC 二极管是高效、高压应用(如开关模式电源和高速逆变器)下的完美选择。
• 600、650、1200 和 1700 电压额定值
• 零反向恢复电流和正向恢复电压
• 温度独立的切换行为
• 极快的切换时间,损耗最小
• 正温度系数正向电压
• 设备可并联,无需进行热耗散
• 降低了对散热片的要求
• 专为用于 PFC 升压二极管应用进行优化
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![]() | Cree/Wolfspeed DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 10A(DC) TO-252-2 型号:C4D10120E 仓库库存编号:C4D10120E-ND | 无铅 | 搜索 |
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C4D10120E![]() | 2345073 | WOLFSPEED Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 1200V Series, Single, 1.2 kV, 33 A, 52 nC, TO-252 ![]() | 搜索 |
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| 制造商零件编号: C4D10120E 品牌: Wolfspeed 库存编号: 809-9005 | 搜索 |