Infineon thinQ!? 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。thinQ! Infineon 肖特基二极管具有多种电压:600V、650V 和 1200V。Infineon 1200V 碳化硅二极管高效,且在 1200 V 操作时无损耗。碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能,如更高的击穿电场强度和导热性,可提供更高效率水平。此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。
降低的 EMI
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IDH10SG60CXKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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![]() | Infineon Technologies DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2 详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 10A(DC) PG-TO220-2 型号:IDH10SG60CXKSA1 仓库库存编号:IDH10SG60CXKSA1-ND 别名:IDH10SG60C <br>IDH10SG60C-ND <br>SP000607040 <br> | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IDH10SG60C 品牌: Infineon 库存编号: 110-7418 | 搜索 |
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IDH10SG60C![]() | 1845008 | INFINEON Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 3G 600V Series, Single, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220 ![]() | 搜索 |
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