IRL540NPBF,919-4882,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRL540NPBF
库存编号：
919-4882
Infineon IRL540NPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRL540NPBF
库存编号:IRL540NPBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB0
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100+
500+
1000+
2000+
5000+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRL540NPBF
库存编号:942-IRL540NPBF		 Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB8604
1起订		1+
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25+
100+
500+
1000+
2000+
5000+
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IRL540NPBF
库存编号:IRL540NPBF		 Infineon Technologies AG Semiconductors2256
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IRL540NPBF
库存编号:IRL540NPBF		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRL540NPBF)689
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IRL540NPBF
库存编号:63J7809		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: 63J7809)0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRL540NPBF
库存编号:87206153		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
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IRL540NPBF
库存编号:71240175		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
58起订		58+
￥17.71
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IRL540NPBF
库存编号:IRL540NPBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 36A, 140W, TO220AB1181
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRL540NPBF Infineon Technologies AG 36 A, 100 V, 0.053 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB80
1起订		1+
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IRL540NPBF International Rectifier 36 A, 100 V, 0.053 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB8
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￥38.41
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  英国11号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRL540NPBF
库存编号:5411219		 Infineon Technologies AG MOSFET N-Channel 100V 36A TO220AB, EA205
1起订		1+
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10+
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IRL540NPBF
库存编号:9194882		 Infineon Technologies AG MOSFET N-Channel 100V 36A TO220AB, TU150
50起订		50+
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500+
￥11.31
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￥10.49
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IRL540NPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRL540NPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  典型关断延迟时间  39 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  1800 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  74 nC @ 5 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  8.77mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  140 W  
  最大连续漏极电流  36 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  44 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±16 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

IRL540NPBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   典型关断延迟时间 39 ns  Infineon 典型关断延迟时间 39 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 39 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 39 ns   典型接通延迟时间 11 ns  Infineon 典型接通延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns   典型输入电容值@Vds 1800 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1800 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1800 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1800 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 74 nC @ 5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 74 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 74 nC @ 5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 74 nC @ 5 V   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 8.77mm  Infineon 高度 8.77mm  MOSFET 晶体管 高度 8.77mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 8.77mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 140 W  Infineon 最大功率耗散 140 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 140 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 140 W   最大连续漏极电流 36 A  Infineon 最大连续漏极电流 36 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 36 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 36 A   最大漏源电压 100 V  Infineon 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 44 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 44 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 44 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 44 mΩ   最大栅阈值电压 2V  Infineon 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 ±16 V  Infineon 最大栅源电压 ±16 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1V  Infineon 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
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IRL540NPBF
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MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRL540NPBF
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MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant | pbFree: No

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Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRL540NPBF)

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Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRL540NPBF)

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Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220

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Single N-Channel 100 V 0.063 Ohm 74 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Single N-Channel 100 V 0.063 Ohm 74 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.044Ohm, ID 36A, TO-220AB, PD 140W, VGS +/-16V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRL540NPBF
[更多]		 International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 140 W

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型号 制造商 描述 操作
IRL540NPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 100V, 36A, 140W

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRL540NPBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRL540NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
541-1219
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Infineon - IRL540NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRL540NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
919-4882
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IRL 540NPBF
International Rectifier		原厂原装货
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IRL540NPBF|International RectifierIRL540NPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRL540NPBF|International RectifierIRL540NPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRL540NPBF|International RectifierIRL540NPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRL540NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRL540NPBF		2565905

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 36A, TO-220AB

 (EN)		搜索
IRL540NPBF
INFINEON IRL540NPBF		8651078

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 2 V

 (EN)		搜索
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International Rectifier - IRL540NPBF - VGS +/-16V PD 140W TO-220AB ID 36A RDS(ON) 0.044Ohm VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70017094 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.044Ohm; ID 36A; TO-220AB; PD 140W; VGS +/-16V

型号：IRL540NPBF
仓库库存编号：70017094

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IR - IRL540NPBF - MOSFET N, 100 V 36 A 140 W TO-220, IRL540NPBF, IR		IR
MOSFET N, 100 V 36 A 140 W TO-220, IRL540NPBF, IR

型号：IRL540NPBF
仓库库存编号：171-18-276

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Infineon Technologies - IRL540NPBF - MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB

型号：IRL540NPBF
仓库库存编号：IRL540NPBF-ND
别名：*IRL540NPBF <br>SP001576440 <br>

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IRL540NPBF产品技术参数资料

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