IRF640NPBF,919-4817,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRF640NPBF
库存编号：
919-4817
Infineon IRF640NPBF
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IRF640NPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF640NPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  典型关断延迟时间  23 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  1160 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  67 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  8.77mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  150 W  
  最大连续漏极电流  18 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  150 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

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MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220

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Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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IRF640NPBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.15Ohm, ID 18A, TO-220AB, PD 150W, VGS +/-20V

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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 150 W

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 18A, 150W, TO220AB, HEXFET?

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IRF640NPBF
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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

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IRF640NPBF|International RectifierIRF640NPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
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Infineon - IRF640NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRF640NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
541-0014
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IRF640NPBF
品牌：
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IRF640NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF		2565839

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB

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IRF640NPBF
INFINEON IRF640NPBF		8648379

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V

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International Rectifier - IRF640NPBF - VGS +/-20V PD 150W TO-220AB ID 18A RDS(ON) 0.15Ohm VDSS 200V N-Ch MOSFET, Power|70016972 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.15Ohm; ID 18A; TO-220AB; PD 150W; VGS +/-20V

型号：IRF640NPBF
仓库库存编号：70016972

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Infineon Technologies - IRF640NPBF - MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB

型号：IRF640NPBF
仓库库存编号：IRF640NPBF-ND
别名：*IRF640NPBF <br>SP001570078 <br>

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IR - IRF640NPBF - MOSFET N, 200 V 18 A 150 W TO-220AB, IRF640NPBF, IR		IR
MOSFET N, 200 V 18 A 150 W TO-220AB, IRF640NPBF, IR

型号：IRF640NPBF
仓库库存编号：171-15-082
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF640NPBF产品技术参数资料

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