IRLML2803TRPBF,919-4735,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
IRLML2803TRPBF
库存编号：
919-4735
Infineon IRLML2803TRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLML2803TRPBF
库存编号:IRLML2803PBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT230
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100+
500+
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￥2.81
￥3.74
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IRLML2803TRPBF
库存编号:IRLML2803PBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT230
3000起订		3000+
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￥0.88
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￥0.69
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IRLML2803TRPBF
库存编号:IRLML2803PBFCT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT230
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IRLML2803TRPBF-1
库存编号:448-IRLML2803TRPBF-1TR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT230
1起订		6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLML2803TRPBF
库存编号:942-IRLML2803TRPBF		 Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl166116
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLML2803TRPBF
库存编号:IRLML2803TRPBF		 Infineon Technologies AG Semiconductors33001
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IRLML2803TRPBF
库存编号:IRLML2803TRPBF		 Infineon Technologies AG Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1.2 A, 250 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount - Tape and Reel (Alt: IRLML2803TRPBF)63000
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IRLML2803TRPBF
库存编号:69268352		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R0
361起订		361+
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￥1.1
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￥1.07
￥1.07
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1-2周询价 询价
IRLML2803TRPBF
库存编号:87555757		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R0
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1-2周询价 询价
IRLML2803TRPBF
库存编号:68483010		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R0
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1-2周询价 询价
IRLML2803TRPBF
库存编号:68483005		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R0
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IRLML2803TRPBF
库存编号:9102701		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, SOT-23316288
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IRLML2803TRPBF
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IRLML2803TRPBF
库存编号:1562522		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 3K0
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￥3317.4
￥3237.99
1-2周询价 询价
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  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLML2803TRPBF
库存编号:IRLML2803TRPBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 1.2A, 0.4W, SOT231969
1起订		1+
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(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLML2803TRPBF Infineon Technologies AG 1200 MA, 30 V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB9229
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRLML2803TRPBF
库存编号:9194735		 Infineon Technologies AG MOSFET N-Channel 30V 1.2A SOT23, RL2965
3000起订		3000+
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1-3周询价 询价
IRLML2803TRPBF
库存编号:302022P		 Infineon Technologies AG MOSFET N-Channel 30V 1.2A SOT23, RL2965
25起订		25+
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IRLML2803TRPBF
库存编号:302022		 Infineon Technologies AG MOSFET N-Channel 30V 1.2A SOT23, PK1400
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(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLML2803TRPBF Infineon Technologies AG RoHS (ship within 1day) - D/C 20226000
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100+
300+
500+
1000+
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IRLML2803TRPBF Infineon Technologies AG RoHS (ship within 1day) - D/C 20225537
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100+
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IRLML2803TRPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRLML2803TRPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.04mm  
  尺寸  3.04 x 1.4 x 1.02mm  
  典型关断延迟时间  9 ns  
  典型接通延迟时间  3.9 ns  
  典型输入电容值@Vds  85 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  3.3 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1.02mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  540 mW  
  最大连续漏极电流  1.2 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  250 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.04mm  Infineon 长度 3.04mm  MOSFET 晶体管 长度 3.04mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3.04mm   尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  Infineon 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm   典型关断延迟时间 9 ns  Infineon 典型关断延迟时间 9 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 9 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 9 ns   典型接通延迟时间 3.9 ns  Infineon 典型接通延迟时间 3.9 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.9 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.9 ns   典型输入电容值@Vds 85 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 85 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 85 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 85 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 10 V   封装类型 SOT-23  Infineon 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1.02mm  Infineon 高度 1.02mm  MOSFET 晶体管 高度 1.02mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.02mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  Infineon 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 540 mW  Infineon 最大功率耗散 540 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 540 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 540 mW   最大连续漏极电流 1.2 A  Infineon 最大连续漏极电流 1.2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.2 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.2 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 250 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 250 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 250 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 250 mΩ   最大栅阈值电压 1V  Infineon 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Infineon 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
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MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

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Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 0.25Ohm, ID 1.2A, Micro3, PD 540mW, VGS +/-20V

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 30V, 1.2A, 0.4W, SOT23

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1200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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1200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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1200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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1200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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Infineon Technologies - IRLML2803TRPBF - MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23

型号：IRLML2803TRPBF
仓库库存编号：IRLML2803PBFCT-ND
别名：*IRLML2803TRPBF <br>IRLML2803PBFCT <br>

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IRLML2803TRPBF
INFINEON IRLML2803TRPBF		9537678

INFINEON

场效应管, MOSFET, N沟道, Micro-3, 30V

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IRLML2803TRPBF|International RectifierIRLML2803TRPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
Rohs

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Infineon - IRLML2803TRPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
IRLML2803TRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
302-022
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Infineon - IRLML2803TRPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
IRLML2803TRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
919-4735
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IRLML2803TRPBF|International RectifierIRLML2803TRPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
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International Rectifier - IRLML2803TRPBF - VGS +/-20V PD 540mW Micro3 ID 1.2A RDS(ON) 0.25Ohm VDSS 30V N-Ch MOSFET, Power|70017105 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.25Ohm; ID 1.2A; Micro3; PD 540mW; VGS +/-20V

型号：IRLML2803TRPBF
仓库库存编号：70017105

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International Rectifier		MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
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IRLML2803TRPBF产品技术参数资料

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