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安装类型	表面贴装
长度	10.23mm
尺寸	10.23 x 10.99 x 4.57mm
典型关断延迟时间	15 ns
典型接通延迟时间	7.2 ns
典型输入电容值@Vds	660 pF @ 600 V
典型栅极电荷@Vgs	30 nC @ 15 V
封装类型	D2PAK
高度	4.57mm
晶体管材料	SiC
晶体管配置	单
宽度	10.99mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	7
正向二极管电压	4.4V
正向跨导	13.6S
最大功率耗散	113 W
最大连续漏极电流	35 A
最大漏源电压	900 V
最大漏源电阻值	0.078 Ω
最大栅阈值电压	2.1V
最大栅源电压	25 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.8V
关键词

安装类型 表面贴装  Wolfspeed 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Wolfspeed MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.23mm  Wolfspeed 长度 10.23mm  MOSFET 晶体管 长度 10.23mm  Wolfspeed MOSFET 晶体管 长度 10.23mm   尺寸 10.23 x 10.99 x 4.57mm  Wolfspeed 尺寸 10.23 x 10.99 x 4.57mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.23 x 10.99 x 4.57mm  Wolfspeed MOSFET 晶体管 尺寸 10.23 x 10.99 x 4.57mm   典型关断延迟时间 15 ns  Wolfspeed 典型关断延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns  Wolfspeed MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns   典型接通延迟时间 7.2 ns  Wolfspeed 典型接通延迟时间 7.2 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.2 ns  Wolfspeed MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.2 ns   典型输入电容值@Vds 660 pF @ 600 V  Wolfspeed 典型输入电容值@Vds 660 pF @ 600 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 660 pF @ 600 V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 660 pF @ 600 V   典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 15 V  Wolfspeed 典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 15 V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 15 V   封装类型 D2PAK  Wolfspeed 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  Wolfspeed MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.57mm  Wolfspeed 高度 4.57mm  MOSFET 晶体管 高度 4.57mm  Wolfspeed MOSFET 晶体管 高度 4.57mm   晶体管材料 SiC  Wolfspeed 晶体管材料 SiC  MOSFET 晶体管 晶体管材料 SiC  Wolfspeed MOSFET 晶体管 晶体管材料 SiC   晶体管配置 单  Wolfspeed 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Wolfspeed MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 10.99mm  Wolfspeed 宽度 10.99mm  MOSFET 晶体管 宽度 10.99mm  Wolfspeed MOSFET 晶体管 宽度 10.99mm   类别 功率 MOSFET  Wolfspeed 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Wolfspeed MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Wolfspeed 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Wolfspeed MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Wolfspeed 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Wolfspeed MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Wolfspeed 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Wolfspeed MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 7  Wolfspeed 引脚数目 7  MOSFET 晶体管 引脚数目 7  Wolfspeed MOSFET 晶体管 引脚数目 7   正向二极管电压 4.4V  Wolfspeed 正向二极管电压 4.4V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 4.4V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 正向二极管电压 4.4V   正向跨导 13.6S  Wolfspeed 正向跨导 13.6S  MOSFET 晶体管 正向跨导 13.6S  Wolfspeed MOSFET 晶体管 正向跨导 13.6S   最大功率耗散 113 W  Wolfspeed 最大功率耗散 113 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 113 W  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大功率耗散 113 W   最大连续漏极电流 35 A  Wolfspeed 最大连续漏极电流 35 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 35 A  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 35 A   最大漏源电压 900 V  Wolfspeed 最大漏源电压 900 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 900 V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大漏源电压 900 V   最大漏源电阻值 0.078 Ω  Wolfspeed 最大漏源电阻值 0.078 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.078 Ω  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.078 Ω   最大栅阈值电压 2.1V  Wolfspeed 最大栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V   最大栅源电压 25 V  Wolfspeed 最大栅源电压 25 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 25 V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大栅源电压 25 V   最低工作温度 -55 °C  Wolfspeed 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Wolfspeed 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.8V  Wolfspeed 最小栅阈值电压 1.8V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.8V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.8V  

• C3M0065090J Silicon Carbide Power MOSFET