IRFR220NPBF,913-3875,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
IRFR220NPBF
库存编号：
913-3875
Infineon IRFR220NPBF
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IRFR220NPBF
库存编号:IRFR220NPBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 200V 5A DPAK0
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IRFR220NPBF International Rectifier 5 A, 200 V, 0.6 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-252AA485
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IRFR220NPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFR220NPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  20 ns  
  典型接通延迟时间  6.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  300 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  43 W  
  最大连续漏极电流  5 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  600 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRFR220NPBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Infineon 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Infineon 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 20 ns  Infineon 典型关断延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns   典型接通延迟时间 6.4 ns  Infineon 典型接通延迟时间 6.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.4 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.4 ns   典型输入电容值@Vds 300 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 300 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 300 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 300 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  Infineon 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.39mm  Infineon 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Infineon 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 43 W  Infineon 最大功率耗散 43 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 43 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 43 W   最大连续漏极电流 5 A  Infineon 最大连续漏极电流 5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A   最大漏源电压 200 V  Infineon 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 600 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 600 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 600 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 600 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

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MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC

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Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MOSFET, N, 200V, 5A, D-PAK

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Single N-Channel 200 V 6.8 mOhm 23 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252-3

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Single N-Channel 200 V 6.8 mOhm 23 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252-3

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 600 Milliohms, ID 5A, D-Pak (TO-252AA), PD 43W

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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 43 W

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 5A, 43W, DPAK, HEXFET?

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IRFR220NPBF|International RectifierIRFR220NPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
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Infineon - IRFR220NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
IRFR220NPBF
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Infineon
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品牌：
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IRFR220NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR220NPBF		2565795

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 5A, D-PAKS

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INFINEON IRFR220NPBF		8649693

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 V

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IR - IRFR220NPBF - MOSFET N, 200 V 5.0 A 43 W DPAK, IRFR220NPBF, IR		IR
MOSFET N, 200 V 5.0 A 43 W DPAK, IRFR220NPBF, IR

型号：IRFR220NPBF
仓库库存编号：171-38-472

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IRFR220NPBF产品技术参数资料

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