IRF9Z34NLPBF,907-5056,Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NLPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NLPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装

制造商零件编号：
IRF9Z34NLPBF
库存编号：
907-5056
Infineon IRF9Z34NLPBF
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF9Z34NLPBF
库存编号:IRF9Z34NLPBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 55V 19A TO2620
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF9Z34NLPBF
库存编号:2576890		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 60V, 195A, TO-220AB-30
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IRF9Z34NLPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF9Z34NLPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 9.65mm  
  典型关断延迟时间  30 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  620 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  35 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-262  
  高度  9.65mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.6V  
  正向跨导  4.2S  
  最大功率耗散  68 W  
  最大连续漏极电流  14 A  
  最大漏源电压  55 V  
  最大漏源电阻值  100 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IRF9Z34NLPBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.83 x 9.65mm  Infineon 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.65mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.65mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.65mm   典型关断延迟时间 30 ns  Infineon 典型关断延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns   典型接通延迟时间 13 ns  Infineon 典型接通延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns   典型输入电容值@Vds 620 pF @ -25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 620 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 620 pF @ -25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 620 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V   封装类型 TO-262  Infineon 封装类型 TO-262  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-262  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-262   高度 9.65mm  Infineon 高度 9.65mm  MOSFET 晶体管 高度 9.65mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 9.65mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Infineon 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.6V  Infineon 正向二极管电压 1.6V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.6V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.6V   正向跨导 4.2S  Infineon 正向跨导 4.2S  MOSFET 晶体管 正向跨导 4.2S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 4.2S   最大功率耗散 68 W  Infineon 最大功率耗散 68 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 68 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 68 W   最大连续漏极电流 14 A  Infineon 最大连续漏极电流 14 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 14 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 14 A   最大漏源电压 55 V  Infineon 最大漏源电压 55 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V   最大漏源电阻值 100 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 100 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 100 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 100 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
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IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT PCh -55V -19A 100mOhm 23.3nC

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IRF9Z34NLPBF
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Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

RoHS: Compliant

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IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET, P-CH, -55V, -19A, TO-262-3

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IRF9Z34NLPBF.
[更多]		 Infineon Technologies AG

P CHANNEL MOSFET, -55V, 19A, TO-262

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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -55V, -19A, 68W, TO262, HEXFET?

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IRF9Z34NLPBF|International RectifierIRF9Z34NLPBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
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International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
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Infineon - IRF9Z34NLPBF - Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NLPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
制造商零件编号：
IRF9Z34NLPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
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Infineon Technologies - IRF9Z34NLPBF - MOSFET P-CH 55V 19A TO-262		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262

型号：IRF9Z34NLPBF
仓库库存编号：IRF9Z34NLPBF-ND
别名：*IRF9Z34NLPBF <br>SP001570616 <br>

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IRF9Z34NLPBF|International RectifierIRF9Z34NLPBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
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IRF9Z34NLPBF.
INFINEON IRF9Z34NLPBF.		1162958

INFINEON

场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 19A, TO-262

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IRF9Z34NLPBF
INFINEON IRF9Z34NLPBF		2576890

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -55 V, 0.1 ohm, -10 V, -4 V

 (EN)		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF9Z34NLPBF产品技术参数资料

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