STH140N6F7-2,906-2836,STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装

制造商零件编号：
STH140N6F7-2
库存编号：
906-2836
STMicroelectronics STH140N6F7-2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
STH140N6F7-2
库存编号:497-16314-1-ND		 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-20
1起订		1+
￥46.35
6-10天询价 询价
查看资料
STH140N6F7-2
库存编号:497-16314-6-ND		 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-20
1起订		1+
￥46.35
6-10天询价 询价
查看资料
STH140N6F7-2
库存编号:497-16314-2-ND		 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-20
1000起订		1000+
2000+
￥16.09
￥15.29
6-10天询价 询价
查看资料

STH140N6F7-2产品详细信息

N 通道 STripFET? F7 系列，STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET? F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻，内部电容和栅极电荷降低，以便更快、更高效地切换。

STH140N6F7-2产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 10.57 x 4.8mm  
  典型关断延迟时间  39 ns  
  典型接通延迟时间  24 ns  
  典型输入电容值@Vds  3100 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  55 nC @ 30 V  
  封装类型  H2PAK  
  高度  4.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  10.57mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET F7  
  引脚数目  2  
  正向二极管电压  1.2V  
  最大功率耗散  158 W  
  最大连续漏极电流  80 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  3.2 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

STH140N6F7-2相关搜索

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  MOSFET 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 10.57 x 4.8mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 10.57 x 4.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 10.57 x 4.8mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 10.57 x 4.8mm   典型关断延迟时间 39 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 39 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 39 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 39 ns   典型接通延迟时间 24 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 24 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 24 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 24 ns   典型输入电容值@Vds 3100 pF @ 25 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 3100 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3100 pF @ 25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3100 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 30 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 30 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 30 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 30 V   封装类型 H2PAK  STMicroelectronics 封装类型 H2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 H2PAK  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 H2PAK   高度 4.8mm  STMicroelectronics 高度 4.8mm  MOSFET 晶体管 高度 4.8mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 4.8mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 10.57mm  STMicroelectronics 宽度 10.57mm  MOSFET 晶体管 宽度 10.57mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 10.57mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 STripFET F7  STMicroelectronics 系列 STripFET F7  MOSFET 晶体管 系列 STripFET F7  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET F7   引脚数目 2  STMicroelectronics 引脚数目 2  MOSFET 晶体管 引脚数目 2  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 2   正向二极管电压 1.2V  STMicroelectronics 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   最大功率耗散 158 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 158 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 158 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 158 W   最大连续漏极电流 80 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 80 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A   最大漏源电压 60 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 3.2 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 3.2 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.2 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.2 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STH140N6F7-2
[更多]		 STMicroelectronics

MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
STH140N6F7-2
[更多]		 STMicroelectronics

MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
STH140N6F7-2
[更多]		 STMicroelectronics

MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STH140N6F7-2
[更多]		 STMicroelectronics

MOSFET N-channel 60 V, 0.0025 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) VII DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STH140N6F7-2
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin H2PAK T/R (Alt: STH140N6F7-2)

RoHS: Compliant

搜索
STH140N6F7-2
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin H2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STH140N6F7-2)

RoHS: Compliant

搜索
  日本3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STH140N6F7-2
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R

RoHS: Compliant

搜索
STH140N6F7-2
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R

RoHS: Compliant

搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

STMicroelectronics - STH140N6F7-2 - MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2Pak-2

型号：STH140N6F7-2
仓库库存编号：497-16314-1-ND
别名：497-16314-1 <br>

无铅		搜索
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STH140N6F7-2 - STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装
制造商零件编号：
STH140N6F7-2
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
906-2836
搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图STH140N6F7-2
STMicroelectronics		 MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
PDF下载 		查价格库存
查看详细
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示