IPZ65R019C7,897-7661,Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPZ65R019C7, 75 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPZ65R019C7, 75 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
IPZ65R019C7
库存编号:
897-7661
Infineon IPZ65R019C7
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IPZ65R019C7产品详细信息

Infineon CoolMOS?C6/C7 功率 MOSFET

IPZ65R019C7产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 21.1 x 5.21mm  
  典型关断延迟时间  106 ns  
  典型接通延迟时间  30 ns  
  典型输入电容值@Vds  9900 pF @ 400 V  
  典型栅极电荷@Vgs  215 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  5.21mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  21.1mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C7  
  引脚数目  4  
  正向二极管电压  0.9V  
  最大功率耗散  446 W  
  最大连续漏极电流  75 A  
  最大漏源电压  700 V  
  最大漏源电阻值  19 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 16.13mm  Infineon 长度 16.13mm  MOSFET 晶体管 长度 16.13mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 16.13mm   尺寸 16.13 x 21.1 x 5.21mm  Infineon 尺寸 16.13 x 21.1 x 5.21mm  MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 21.1 x 5.21mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 21.1 x 5.21mm   典型关断延迟时间 106 ns  Infineon 典型关断延迟时间 106 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 106 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 106 ns   典型接通延迟时间 30 ns  Infineon 典型接通延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns   典型输入电容值@Vds 9900 pF @ 400 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 9900 pF @ 400 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 9900 pF @ 400 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 9900 pF @ 400 V   典型栅极电荷@Vgs 215 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 215 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 215 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 215 nC @ 10 V   封装类型 TO-247  Infineon 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 5.21mm  Infineon 高度 5.21mm  MOSFET 晶体管 高度 5.21mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 5.21mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 21.1mm  Infineon 宽度 21.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 21.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 21.1mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS C7  Infineon 系列 CoolMOS C7  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C7  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C7   引脚数目 4  Infineon 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 4   正向二极管电压 0.9V  Infineon 正向二极管电压 0.9V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.9V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.9V   最大功率耗散 446 W  Infineon 最大功率耗散 446 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 446 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 446 W   最大连续漏极电流 75 A  Infineon 最大连续漏极电流 75 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 75 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 75 A   最大漏源电压 700 V  Infineon 最大漏源电压 700 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 700 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 700 V   最大漏源电阻值 19 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 19 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 19 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 19 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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型号 制造商 描述 操作
IPZ65R019C7XKSA1
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 650V TO247-4

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4

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Trans MOSFET N-CH 650(Min)V 75A 4-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: IPZ65R019C7XKSA1)

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Trans MOSFET N-CH 650(Min)V 75A 4-Pin TO-247 Tube (Alt: IPZ65R019C7XKSA1)

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Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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无图IPZ65R019C7
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Infineon - IPZ65R019C7 - Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPZ65R019C7, 75 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
IPZ65R019C7
品牌:
Infineon
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