IPP90R500C3,897-7611,Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
IPP90R500C3
库存编号：
897-7611
Infineon IPP90R500C3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IPP90R500C3
库存编号:IPP90R500C3-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 900V 11A TO220-30
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IPP90R500C3XKSA1
库存编号:IPP90R500C3XKSA1-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 900V 11A TO220-30
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IPP90R500C3 Infineon Technologies AG  
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IPP90R500C3产品详细信息

Infineon CoolMOS?C3 功率 MOSFET

IPP90R500C3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 15.95 x 4.57mm  
  典型关断延迟时间  400 ns  
  典型接通延迟时间  70 ns  
  典型输入电容值@Vds  1700 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  68 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  4.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  15.95mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C3  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  最大功率耗散  156 W  
  最大连续漏极电流  11 A  
  最大漏源电压  900 V  
  最大漏源电阻值  500 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IPP90R500C3相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.36mm  Infineon 长度 10.36mm  MOSFET 晶体管 长度 10.36mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.36mm   尺寸 10.36 x 15.95 x 4.57mm  Infineon 尺寸 10.36 x 15.95 x 4.57mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 15.95 x 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 15.95 x 4.57mm   典型关断延迟时间 400 ns  Infineon 典型关断延迟时间 400 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 400 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 400 ns   典型接通延迟时间 70 ns  Infineon 典型接通延迟时间 70 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 70 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 70 ns   典型输入电容值@Vds 1700 pF @ 100 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1700 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1700 pF @ 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1700 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Infineon 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 4.57mm  Infineon 高度 4.57mm  MOSFET 晶体管 高度 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.57mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 15.95mm  Infineon 宽度 15.95mm  MOSFET 晶体管 宽度 15.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 15.95mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS C3  Infineon 系列 CoolMOS C3  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.2V  Infineon 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   最大功率耗散 156 W  Infineon 最大功率耗散 156 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 156 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 156 W   最大连续漏极电流 11 A  Infineon 最大连续漏极电流 11 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A   最大漏源电压 900 V  Infineon 最大漏源电压 900 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 900 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 900 V   最大漏源电阻值 500 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 500 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 500 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 500 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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MOSFET N-CH 900V 11A TO-220

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-Ch 900V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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MOSFET LOW POWER_LEGACY

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MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: IPP90R500C3)

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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: IPP90R500C3XKSA1)

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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 - Rail/Tube (Alt: IPP90R500C3XKSA1)

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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP90R500C3XKSA1
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 900V, 6.8A, 156W, PG-TO220-3

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Infineon Technologies - IPP90R500C3XKSA1 - MOSFET N-CH 900V 11A TO-220		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1

型号：IPP90R500C3XKSA1
仓库库存编号：IPP90R500C3XKSA1-ND
别名：IPP90R500C3 <br>IPP90R500C3-ND <br>SP000413746 <br>SP000683100 <br>

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Infineon - IPP90R500C3 - Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
IPP90R500C3
品牌：
Infineon
库存编号：
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IPP90R500C3|INFINEONIPP90R500C3
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 TO-220
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无图IPP90R500C3XK
Infineon Technologies		原厂原装货
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