BSL211SP,892-2169,Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSL211SP, 4.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSL211SP, 4.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装

制造商零件编号：
BSL211SP
库存编号：
892-2169
Infineon BSL211SP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:BSL211SPH6327XTSA1CT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-61272
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BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:BSL211SPH6327XTSA1DKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-61272
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6-10天购买 购买
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BSL211SP
库存编号:BSL211SPINTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-60
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6000+
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15000+
21000+
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BSL211SPT
库存编号:BSL211SPXTINTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-60
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BSL211SPL6327HTSA1
库存编号:BSL211SPL6327HTSA1TR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-60
3000起订		6-10天询价 询价
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BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:BSL211SPH6327XTSA1TR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-60
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:726-BSL211SPH6327XTS		 Infineon Technologies AG MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH11712
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BSL211SP
库存编号:726-BSL211SP		 Infineon Technologies AG MOSFETs P-Ch -20V -4.7A TSOP-6 OptiMOS P0
3000起订		3000+
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￥2.23
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BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:BSL211SPH6327XTSA1		 Infineon Technologies AG Semiconductors3000
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(含税)		 货期
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BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:BSL211SPH6327XTSA1		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: BSL211SPH6327XTSA1)0
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  新加坡3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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(含税)		 货期
(工作日)		 操作
BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:2709901		 Infineon Technologies AG , MOSFET, AEC-Q101, P, -20V, TSOP1870
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BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:2709901RL		 Infineon Technologies AG , MOSFET, AEC-Q101, P, -20V, TSOP1870
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  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:BSL211SPH6327XTSA1		 Infineon Technologies AG Transistor: P-MOSFET, unipolar, -20V, -4.7A, 2W, PG-TSOP-60
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￥2.59
1-3周询价 询价
  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
BSL211SPH6327 Infineon Technologies AG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.7A I(D), 20V, 0.067OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET (Also Known As: BSL211SP)1076
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￥18.29
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BSL211SPH6327 Infineon Technologies AG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.7A I(D), 20V, 0.067OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET142
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  英国11号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:2605071		 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET BSL211SP H6327, PK2700
10起订		10+
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￥5.05
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BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:2605070		 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET BSL211SP H6327, RL2700
3000起订		3000+
6000+
￥2.86
￥2.8
1-3周询价 询价
BSL211SPH6327XTSA1
库存编号:2605071P		 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET BSL211SP H6327, RL2700
50起订		50+
100+
250+
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￥5.91
￥5.55
￥5.05
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1-3周购买 购买
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BSL211SP产品详细信息

Infineon OptiMOS?P P 通道功率 MOSFET

Infineon OptiMOS? P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS? P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

BSL211SP产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.6 x 1mm  
  典型关断延迟时间  25 ns  
  典型接通延迟时间  8.7 ns  
  典型输入电容值@Vds  654 pF @ -15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  8.3 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS P  
  引脚数目  6  
  正向二极管电压  1.4V  
  正向跨导  12.4S  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  4.7 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  110 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.2V  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
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BSL211SP相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Infineon 长度 2.9mm  MOSFET 晶体管 长度 2.9mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.6 x 1mm  Infineon 尺寸 2.9 x 1.6 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1mm   典型关断延迟时间 25 ns  Infineon 典型关断延迟时间 25 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns   典型接通延迟时间 8.7 ns  Infineon 典型接通延迟时间 8.7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.7 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.7 ns   典型输入电容值@Vds 654 pF @ -15 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 654 pF @ -15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 654 pF @ -15 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 654 pF @ -15 V   典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 4.5 V   封装类型 TSOP  Infineon 封装类型 TSOP  MOSFET 晶体管 封装类型 TSOP  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TSOP   高度 1mm  Infineon 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.6mm  Infineon 宽度 1.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS P  Infineon 系列 OptiMOS P  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P   引脚数目 6  Infineon 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 6   正向二极管电压 1.4V  Infineon 正向二极管电压 1.4V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V   正向跨导 12.4S  Infineon 正向跨导 12.4S  MOSFET 晶体管 正向跨导 12.4S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 12.4S   最大功率耗散 2 W  Infineon 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 4.7 A  Infineon 最大连续漏极电流 4.7 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.7 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.7 A   最大漏源电压 20 V  Infineon 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 110 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 110 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ   最大栅阈值电压 1.2V  Infineon 最大栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V   最大栅源电压 ±12 V  Infineon 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.6V  Infineon 最小栅阈值电压 0.6V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
BSL211SPH6327XTSA1
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MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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BSL211SPH6327XTSA1
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MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP

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MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
BSL211SPH6327XTSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

RoHS: Compliant

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BSL211SP
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET P-Ch -20V -4.7A TSOP-6 OptiMOS P

RoHS: Not compliant

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BSL211SP L6327
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MOSFET P-Ch -20V 4.7A TSOP-6

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Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: BSL211SPH6327XTSA1)

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Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R (Alt: BSL211SPH6327XTSA1)

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Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R (Alt: BSL211SP H6327)

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Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R

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MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -20V, TSOP

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Single P-Channel 20 V 67 mOhm 8.3 nC OptiMOS?Small Signal Mosfet - P-TSOP6-6

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Infineon - BSL211SP - Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSL211SP, 4.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
制造商零件编号：
BSL211SP
品牌：
Infineon
库存编号：
892-2169
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BSL211SPH6327XTSA1
INFINEON BSL211SPH6327XTSA1		2709901

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晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -900 mV

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BSL211SP产品技术参数资料

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