FDP039N08B_F102,864-8537,Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP039N08B_F102, 171 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP039N08B_F102, 171 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
FDP039N08B_F102
库存编号：
864-8537
Fairchild Semiconductor FDP039N08B_F102
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FDP039N08B-F102
库存编号:FDP039N08B-F102-ND		 onsemi MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3418
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FDP039N08B_F102
库存编号:FDP039N08B-F102		 onsemi MOS Power Transistors LV (< 200V) - Rail/Tube (Alt: FDP039N08B-F102)0
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FDP039N08B_F102
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FDP039N08B-F102
库存编号:85982480		onsemiTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube800
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库存编号:85982408		onsemiTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube580
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FDP039N08B_F102产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor

FDP039N08B_F102产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.672 x 15.215mm  
  典型关断延迟时间  71 ns  
  典型接通延迟时间  36 ns  
  典型输入电容值@Vds  7105 pF @ 40 V  
  典型栅极电荷@Vgs  102 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.215mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.672mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  214 W  
  最大连续漏极电流  171 A  
  最大漏源电压  80 V  
  最大漏源电阻值  3.9 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.36mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.36mm  MOSFET 晶体管 长度 10.36mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.36mm   尺寸 10.36 x 4.672 x 15.215mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.36 x 4.672 x 15.215mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.672 x 15.215mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.672 x 15.215mm   典型关断延迟时间 71 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 71 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 71 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 71 ns   典型接通延迟时间 36 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 36 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 36 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 36 ns   典型输入电容值@Vds 7105 pF @ 40 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 7105 pF @ 40 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7105 pF @ 40 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7105 pF @ 40 V   典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.215mm  Fairchild Semiconductor 高度 15.215mm  MOSFET 晶体管 高度 15.215mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 15.215mm   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.672mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.672mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.672mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.672mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 214 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 214 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 214 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 214 W   最大连续漏极电流 171 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 171 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 171 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 171 A   最大漏源电压 80 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 80 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V   最大漏源电阻值 3.9 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 3.9 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.9 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.9 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2.5V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  
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MOSFET N CH 80V 120A TO-220

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MOSFET Hi Intg PWM contrlr Green-Mode

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Fairchild Semiconductor - FDP039N08B_F102 - Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP039N08B_F102, 171 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
FDP039N08B_F102
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
864-8537
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Fairchild/ON Semiconductor - FDP039N08B_F102 - MOSFET N CH 80V 120A TO-220		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 80V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 214W（Tc） TO-220-3

型号：FDP039N08B_F102
仓库库存编号：FDP039N08B_F102-ND

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDP039N08B_F102产品技术参数资料

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