FDB082N15A,864-7963,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB082N15A, 105 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB082N15A, 105 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
FDB082N15A
库存编号：
864-7963
Fairchild Semiconductor FDB082N15A
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FDB082N15A
库存编号:FDB082N15AFSCT-ND		 onsemi MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK632
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FDB082N15A
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FDB082N15A
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800起订		800+
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FDB082N15A
库存编号:512-FDB082N15A		 onsemi MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET1158
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FDB082N15A
库存编号:FDB082N15A		 onsemi Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDB082N15A)0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FDB082N15A
库存编号:FDB082N15A		 onsemi Transistor: N-MOSFET, unipolar, 150V, 83A, Idm: 468A, 294W, D2PAK0
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FDB082N15A产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor

FDB082N15A产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  61 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  4645 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  64.5 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  294 W  
  最大连续漏极电流  105 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  8.2 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm   典型关断延迟时间 61 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 61 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 61 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 61 ns   典型接通延迟时间 22 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 22 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 22 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 22 ns   典型输入电容值@Vds 4645 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 4645 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4645 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4645 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 64.5 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 64.5 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 64.5 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 64.5 nC @ 10 V   封装类型 D2PAK  Fairchild Semiconductor 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.65mm  Fairchild Semiconductor 宽度 9.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 294 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 294 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 294 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 294 W   最大连续漏极电流 105 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 105 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 105 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 105 A   最大漏源电压 150 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 150 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V   最大漏源电阻值 8.2 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 8.2 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8.2 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8.2 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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FDB082N15A
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MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK

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MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK

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MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDB082N15A)

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Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FDB082N15A)

RoHS: Compliant

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150V 8.2MOHM TO263 3L JEDEC GR

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MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Fairchild/ON Semiconductor - FDB082N15A - MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 117A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（TO-263AB）

型号：FDB082N15A
仓库库存编号：FDB082N15AFSCT-ND
别名：FDB082N15AFSCT <br>

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FDB082N15A - Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB082N15A, 105 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
FDB082N15A
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
864-7963
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FDB082N15A|FAIRCHILDFDB082N15A
FAIRCHILD		150 V 8.2 MOHM TO263 3L JEDEC 绿色 EMC
Rohs

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FDB082N15A|Fairchild SemiconductorFDB082N15A
Fairchild Semiconductor		MOSFET N CH 150V 105A D2PAK
Rohs

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FDB082N15A|FAIRCHILDFDB082N15A
FAIRCHILD		150 V 8.2 MOHM TO263 3L JEDEC 绿色 EMC
Rohs

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FDB082N15A|Fairchild SemiconductorFDB082N15A
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Rohs

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电话:400-900-3095
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