FDMS2672,864-4816,Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2672, 20 A, Vds=200 V, 8引脚 Power 56封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2672, 20 A, Vds=200 V, 8引脚 Power 56封装

制造商零件编号：
FDMS2672
库存编号：
864-4816
Fairchild Semiconductor FDMS2672
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FDMS2672
库存编号:FDMS2672DKR-ND		 onsemi MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP4045
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FDMS2672
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FDMS2672
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FDMS2672
库存编号:FDMS2672		 onsemi Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin MLP EP T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS2672)0
178起订		178+
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FDMS2672
库存编号:FDMS2672		 onsemi Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin MLP EP T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS2672)0
3000起订		3000+
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24000+
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FDMS2672
库存编号:87817793		 onsemi Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R0
3000起订		3000+
￥24.51
1-2周询价 询价
FDMS2672
库存编号:87662129		 onsemi Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R0
3000起订		3000+
￥17.75
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FDMS2672
库存编号:FDMS2672		 onsemi Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 13A, Idm: 96A, 78W, Power560
1起订		1+
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250+
￥35.74
￥29.88
￥23.45
￥21.45
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FDMS2672 Fairchild Semiconductor Corporation 3.7 A, 200 V, 0.156 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET3
1起订		1+
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￥40.81
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FDMS2672
库存编号:7599594		 onsemi MOSFETN200V3.7AUltraFETMLP8EP, EA2505
1起订		1+
750+
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FDMS2672
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FDMS2672
库存编号:8644816		 onsemi MOSFET N-Ch 200V 3.7A UltraFET MLP8EP, RL2505
3000起订		3000+
￥19.36
1-3周询价 询价

FDMS2672产品详细信息

UltraFET? MOSFET，Fairchild Semiconductor

UItraFET? Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。

FDMS2672产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 6 x 0.75mm  
  典型关断延迟时间  36 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  1740 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  30 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 56  
  高度  0.75mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  UltraFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  78 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  156 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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FDMS2672相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Fairchild Semiconductor 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 6 x 0.75mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5 x 6 x 0.75mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6 x 0.75mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6 x 0.75mm   典型关断延迟时间 36 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 36 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns   典型接通延迟时间 22 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 22 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 22 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 22 ns   典型输入电容值@Vds 1740 pF @ 100 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1740 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1740 pF @ 100 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1740 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V   封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 56  MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56   高度 0.75mm  Fairchild Semiconductor 高度 0.75mm  MOSFET 晶体管 高度 0.75mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.75mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6mm  Fairchild Semiconductor 宽度 6mm  MOSFET 晶体管 宽度 6mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 UltraFET  Fairchild Semiconductor 系列 UltraFET  MOSFET 晶体管 系列 UltraFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 UltraFET   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 78 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 78 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 78 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 78 W   最大连续漏极电流 20 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 20 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 20 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 20 A   最大漏源电压 200 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 156 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 156 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 156 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 156 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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FDMS2672
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MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FDMS2672
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MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET 200V N-Ch UltraFET

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Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin MLP EP T/R (Alt: FDMS2672)

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Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin MLP EP T/R (Alt: FDMS2672)

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Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin MLP EP T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS2672)

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200V, 20A,77 OHM, NCH ULTRAFET

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200V, 20A,77 OHM, NCH ULTRAFET

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型号 制造商 描述 操作
FDMS2672
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FDMS2672 Series 200 V 77 mOhm N-Channel UltraFET Trench Mosfet - Power-56-8

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FDMS2672
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型号 制造商 描述 操作
FDMS2672
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3.7 A, 200 V, 0.156 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FDMS2672 - Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2672, 20 A, Vds=200 V, 8引脚 Power 56封装
制造商零件编号：
FDMS2672
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
759-9594
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Fairchild Semiconductor - FDMS2672 - Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2672, 20 A, Vds=200 V, 8引脚 Power 56封装
制造商零件编号：
FDMS2672
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
864-4816
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
FDMS2672|FAIRCHILDFDMS2672
FAIRCHILD		FDMS2672 系列 200 V 77 mOhm N沟道 UltraFET Trench Mosfet - Power-56-8
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
FDMS2672|FAIRCHILDFDMS2672
FAIRCHILD		FDMS2672 系列 200 V 77 mOhm N沟道 UltraFET Trench Mosfet - Power-56-8
Rohs

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FDMS2672|Fairchild SemiconductorFDMS2672
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
FDMS2672|Fairchild SemiconductorFDMS2672
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
Rohs

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Fairchild/ON Semiconductor - FDMS2672 - MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56

型号：FDMS2672
仓库库存编号：FDMS2672CT-ND
别名：FDMS2672CT <br>

无铅		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
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