FQPF9N25CYDTU,862-8785,Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF9N25CYDTU, 8.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF9N25CYDTU, 8.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装

制造商零件编号：
FQPF9N25CYDTU
库存编号：
862-8785
Fairchild Semiconductor FQPF9N25CYDTU
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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FQPF9N25CYDTU产品详细信息

QFET? N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET? 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

FQPF9N25CYDTU产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.9 x 16.07mm  
  典型关断延迟时间  90 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  545 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  26.5 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220F  
  高度  16.07mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.9mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  QFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  38 W  
  最大连续漏极电流  8.8 A  
  最大漏源电压  250 V  
  最大漏源电阻值  430 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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FQPF9N25CYDTU
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MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET 250V 8.8A N-Chan

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Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R - Rail/Tube (Alt: FQPF9N25CYDTU)

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Fairchild/ON Semiconductor - FQPF9N25CYDTU - MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F-3（Y 型）

型号：FQPF9N25CYDTU
仓库库存编号：FQPF9N25CYDTU-ND

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Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
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Fairchild Semiconductor - FQPF9N25CYDTU - Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF9N25CYDTU, 8.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
制造商零件编号：
FQPF9N25CYDTU
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
862-8785
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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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