IRLMS2002TRPBF,830-3326,Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS2002TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS2002TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装

制造商零件编号：
IRLMS2002TRPBF
库存编号：
830-3326
Infineon IRLMS2002TRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLMS2002TRPBF
库存编号:IRLMS2002PBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO644889
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10+
100+
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IRLMS2002TRPBF
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IRLMS2002TRPBF
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3000起订		3000+
6000+
9000+
15000+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLMS2002TRPBF
库存编号:942-IRLMS2002TRPBF		 Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl23971
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IRLMS2002TRPBF
库存编号:IRLMS2002TRPBF		 Infineon Technologies AG Semiconductors10332
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLMS2002TRPBF
库存编号:IRLMS2002TRPBF		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRLMS2002TRPBF)0
3000起订		3000+
6000+
12000+
18000+
24000+
￥1.71
￥1.69
￥1.67
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IRLMS2002TRPBF
库存编号:2577180RL		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 40V, 209A, DIRECTFET ME-810288
100起订		100+
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IRLMS2002TRPBF
库存编号:2577180		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 40V, 209A, DIRECTFET ME-810288
5起订		5+
50+
100+
500+
1500+
￥5.99
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￥4.16
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IRLMS2002TRPBF
库存编号:2577230		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 30V, 7.3A, SOIC-80
3000起订		3000+
9000+
￥2.57
￥2.45
1-2周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLMS2002TRPBF International Rectifier MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP1027
1起订		1+
168+
838+
￥43.71
￥17.49
￥15.3
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  英国11号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLMS2002TRPBF
库存编号:1655840		 Infineon Technologies AG HEXFET N-Ch MOSFET 6.5A 20V Micro6, RL841
3000起订		3000+
15000+
￥2.6
￥2.52
1-3周询价 询价
IRLMS2002TRPBF
库存编号:8303326		 Infineon Technologies AG HEXFET N-Ch MOSFET 6.5A 20V Micro6, PK841
30起订		30+
￥5.27
1-3周购买 购买
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IRLMS2002TRPBF
库存编号:8303326P		 Infineon Technologies AG HEXFET N-Ch MOSFET 6.5A 20V Micro6, RL841
30起订		30+
￥5.27
1-3周购买 购买
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IRLMS2002TRPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.75 x 1.3mm  
  典型关断延迟时间  36 ns  
  典型接通延迟时间  8.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  1310 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 5 V  
  封装类型  Micro6  
  高度  1.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.75mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  6.5 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  45 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.2V  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
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IRLMS2002TRPBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Infineon 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.75 x 1.3mm  Infineon 尺寸 3 x 1.75 x 1.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.75 x 1.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.75 x 1.3mm   典型关断延迟时间 36 ns  Infineon 典型关断延迟时间 36 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns   典型接通延迟时间 8.5 ns  Infineon 典型接通延迟时间 8.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.5 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.5 ns   典型输入电容值@Vds 1310 pF @ 15 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1310 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1310 pF @ 15 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1310 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 5 V   封装类型 Micro6  Infineon 封装类型 Micro6  MOSFET 晶体管 封装类型 Micro6  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 Micro6   高度 1.3mm  Infineon 高度 1.3mm  MOSFET 晶体管 高度 1.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.3mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.75mm  Infineon 宽度 1.75mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.75mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.75mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 6  Infineon 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 2 W  Infineon 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 6.5 A  Infineon 最大连续漏极电流 6.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6.5 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6.5 A   最大漏源电压 20 V  Infineon 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 45 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 45 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 45 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 45 mΩ   最大栅阈值电压 1.2V  Infineon 最大栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V   最大栅源电压 ±12 V  Infineon 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.6V  Infineon 最小栅阈值电压 0.6V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V  
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IRLMS2002TRPBF
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MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRLMS2002TRPBF
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MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

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IRLMS2002TRPBF
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MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

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IRLMS2002TRPBF
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MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl

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Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R (Alt: IRLMS2002TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRLMS2002TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R (Alt: IRLMS2002TRPBF)

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MOSFET, N-CH, 20V, 6.5A, SOT-23-6

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MOSFET, N-CH, 20V, 6.5A, SOT-23-6

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IRLMS2002TRPBF.
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N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO6, FUL

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IRLMS2002TRPBF
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Single N-Channel 20 V 0.045 Ohm 22 nC HEXFET? Power Mosfet - MICRO-6

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Single N-Channel 20 V 0.045 Ohm 22 nC HEXFET? Power Mosfet - MICRO-6

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IRLMS2002TRPBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 20V, RDS(ON) 0.03Ohm, ID 6.5A, Micro6, PD 2W, VGS +/-12V, -55d

RoHS: Compliant

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IRLMS2002TRPBF
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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: MICRO6 Polarity: N Power dissipation: 2 W

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IRLMS2002TRPBF
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MOSFET Transistor, N-Channel, TSOP

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Infineon Technologies - IRLMS2002TRPBF - MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（SOT23-6）

型号：IRLMS2002TRPBF
仓库库存编号：IRLMS2002PBFCT-ND
别名：*IRLMS2002TRPBF <br>IRLMS2002PBFCT <br>

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IRLMS2002TRPBF.
INFINEON IRLMS2002TRPBF.		9765913

INFINEON

场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP

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INFINEON IRLMS2002TRPBF.		2410699

INFINEON

场效应管, N通道, MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO-6, 整卷

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INFINEON IRLMS2002TRPBF		2577230

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V

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INFINEON IRLMS2002TRPBF		2577180

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V

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International Rectifier - IRLMS2002TRPBF - -55d VGS +/-12V PD 2W Micro6 ID 6.5A RDS(ON) 0.03Ohm VDSS 20V N-Ch MOSFET, Power|70017108 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.03Ohm; ID 6.5A; Micro6; PD 2W; VGS +/-12V; -55d

型号：IRLMS2002TRPBF
仓库库存编号：70017108

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IR - IRLMS2002TRPBF - MOSFET N, 20 V 5.2 A 2 W MICRO6, IRLMS2002TRPBF, IR		IR
MOSFET N, 20 V 5.2 A 2 W MICRO6, IRLMS2002TRPBF, IR

型号：IRLMS2002TRPBF
仓库库存编号：171-39-728

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IRLMS2002TRPBF|International RectifierIRLMS2002TRPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Rohs

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Infineon - IRLMS2002TRPBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS2002TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装
制造商零件编号：
IRLMS2002TRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
830-3326
搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRLMS2002TRPBF产品技术参数资料

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