IRLMS1902TRPBF,830-3322,Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS1902TRPBF, 3.2 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS1902TRPBF, 3.2 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装

制造商零件编号：
IRLMS1902TRPBF
库存编号：
830-3322
Infineon IRLMS1902TRPBF
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IRLMS1902TRPBF
库存编号:IRLMS1902PBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO60
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IRLMS1902TRPBF
库存编号:IRLMS1902PBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO60
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IRLMS1902TRPBF
库存编号:87782415		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R3000
2047起订		2047+
￥2.46
1-2周购买 购买
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IRLMS1902TRPBF
库存编号:IRLMS1902TRPBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 20V, 3.2A, 1.7W, TSOP60
3000起订		3000+
￥1.68
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IRLMS1902TRPBF Infineon Technologies AG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.2A I(D), 20V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET5274
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IRLMS1902TRPBF Infineon Technologies AG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.2A I(D), 20V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET1481
1起订		1+
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￥5.63
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IRLMS1902TRPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRLMS1902TRPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.75 x 1.3mm  
  典型关断延迟时间  12 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型输入电容值@Vds  300 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  4.7 nC @ 4.5 V  
  封装类型  Micro6  
  高度  1.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.75mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  1.7 W  
  最大连续漏极电流  3.2 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  170 mΩ  
  最大栅阈值电压  0.7V  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.7V  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Infineon 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.75 x 1.3mm  Infineon 尺寸 3 x 1.75 x 1.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.75 x 1.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.75 x 1.3mm   典型关断延迟时间 12 ns  Infineon 典型关断延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns   典型接通延迟时间 7 ns  Infineon 典型接通延迟时间 7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns   典型输入电容值@Vds 300 pF @ 15 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 300 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 300 pF @ 15 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 300 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 4.7 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 4.7 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.7 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.7 nC @ 4.5 V   封装类型 Micro6  Infineon 封装类型 Micro6  MOSFET 晶体管 封装类型 Micro6  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 Micro6   高度 1.3mm  Infineon 高度 1.3mm  MOSFET 晶体管 高度 1.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.3mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.75mm  Infineon 宽度 1.75mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.75mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.75mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 6  Infineon 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 1.7 W  Infineon 最大功率耗散 1.7 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W   最大连续漏极电流 3.2 A  Infineon 最大连续漏极电流 3.2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.2 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.2 A   最大漏源电压 20 V  Infineon 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 170 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 170 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 170 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 170 mΩ   最大栅阈值电压 0.7V  Infineon 最大栅阈值电压 0.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.7V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.7V   最大栅源电压 ±12 V  Infineon 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.7V  Infineon 最小栅阈值电压 0.7V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  
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MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

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MOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin Micro T/R (Alt: IRLMS1902TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin Micro T/R (Alt: IRLMS1902TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRLMS1902TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R

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Single N-Channel 20 V 10 Ohm 4.7 nC HEXFET? Power Mosfet - MICRO-6

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Single N-Channel 20 V 10 Ohm 4.7 nC HEXFET? Power Mosfet - MICRO-6

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IRLMS1902TRPBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 20V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID 3.2A, Micro6 (SOT-23), PD 1.7W, -55de

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Infineon Technologies - IRLMS1902TRPBF - MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）

型号：IRLMS1902TRPBF
仓库库存编号：IRLMS1902PBFCT-ND
别名：*IRLMS1902TRPBF <br>IRLMS1902PBFCT <br>

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Infineon - IRLMS1902TRPBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS1902TRPBF, 3.2 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装
制造商零件编号：
IRLMS1902TRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
830-3322
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IRLMS1902TRPBF|International RectifierIRLMS1902TRPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
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IRLMS1902TRPBF|International RectifierIRLMS1902TRPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
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IR		Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin Micro T/R
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IRLMS1902TRPBF产品技术参数资料

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