CSD16301Q2,827-4672,Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16301Q2, 5 A, Vds=25 V, 6引脚 SON封装 ,Texas Instruments
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16301Q2, 5 A, Vds=25 V, 6引脚 SON封装

制造商零件编号：
CSD16301Q2
库存编号：
827-4672
Texas Instruments CSD16301Q2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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CSD16301Q2
库存编号:296-25260-6-ND		 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 5A 6SON14809
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CSD16301Q2
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CSD16301Q2
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CSD16301Q2
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CSD16301Q2
库存编号:CSD16301Q2		 Texas Instruments Semiconductors12698
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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CSD16301Q2
库存编号:3125012		 Texas Instruments MOSFET,N CH,25V,5A,SON-60
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CSD16301Q2
库存编号:3125012RL		 Texas Instruments MOSFET,N CH,25V,5A,SON-60
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  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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CSD16301Q2 Texas Instruments POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5A I(D), 25V, 0.034OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET755
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CSD16301Q2 Texas Instruments POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5A I(D), 25V, 0.034OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET9
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  英国11号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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CSD16301Q2
库存编号:1628525		 Texas Instruments MOSFET N-Channel 25V 5A NexFET SON6, RL37240
3000起订		3000+
15000+
75000+
￥2.93
￥2.81
￥4.28
1-3周购买 购买
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CSD16301Q2
库存编号:8274672P		 Texas Instruments MOSFET N-Channel 25V 5A NexFET SON6, RL37240
50起订		50+
￥11.38
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CSD16301Q2
库存编号:8274672		 Texas Instruments MOSFET N-Channel 25V 5A NexFET SON6, PK280
10起订		10+
50+
￥4.27
￥11.38
1-3周购买 购买
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CSD16301Q2产品详细信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，Texas Instruments

CSD16301Q2产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 2 x 0.8mm  
  典型关断延迟时间  4.1 ns  
  典型接通延迟时间  2.7 ns  
  典型输入电容值@Vds  260 pF @ 12.5 V  
  典型栅极电荷@Vgs  2 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SON  
  高度  0.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  NexFET  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  2.3 W  
  最大连续漏极电流  5 A  
  最大漏源电压  25 V  
  最大漏源电阻值  34 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.55V  
  最大栅源电压  +10/-8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.9V  
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安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Texas Instruments MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2mm  Texas Instruments 长度 2mm  MOSFET 晶体管 长度 2mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 长度 2mm   尺寸 2 x 2 x 0.8mm  Texas Instruments 尺寸 2 x 2 x 0.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 2 x 0.8mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 2 x 0.8mm   典型关断延迟时间 4.1 ns  Texas Instruments 典型关断延迟时间 4.1 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 4.1 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 4.1 ns   典型接通延迟时间 2.7 ns  Texas Instruments 典型接通延迟时间 2.7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.7 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.7 ns   典型输入电容值@Vds 260 pF @ 12.5 V  Texas Instruments 典型输入电容值@Vds 260 pF @ 12.5 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 260 pF @ 12.5 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 260 pF @ 12.5 V   典型栅极电荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V  Texas Instruments 典型栅极电荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V   封装类型 SON  Texas Instruments 封装类型 SON  MOSFET 晶体管 封装类型 SON  Texas Instruments MOSFET 晶体管 封装类型 SON   高度 0.8mm  Texas Instruments 高度 0.8mm  MOSFET 晶体管 高度 0.8mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 高度 0.8mm   晶体管材料 Si  Texas Instruments 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Texas Instruments 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 2mm  Texas Instruments 宽度 2mm  MOSFET 晶体管 宽度 2mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 宽度 2mm   类别 功率 MOSFET  Texas Instruments 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Texas Instruments MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Texas Instruments 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Texas Instruments MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Texas Instruments 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Texas Instruments 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 NexFET  Texas Instruments 系列 NexFET  MOSFET 晶体管 系列 NexFET  Texas Instruments MOSFET 晶体管 系列 NexFET   引脚数目 6  Texas Instruments 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Texas Instruments MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 2.3 W  Texas Instruments 最大功率耗散 2.3 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.3 W  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.3 W   最大连续漏极电流 5 A  Texas Instruments 最大连续漏极电流 5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A   最大漏源电压 25 V  Texas Instruments 最大漏源电压 25 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V   最大漏源电阻值 34 mΩ  Texas Instruments 最大漏源电阻值 34 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 34 mΩ  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 34 mΩ   最大栅阈值电压 1.55V  Texas Instruments 最大栅阈值电压 1.55V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.55V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.55V   最大栅源电压 +10/-8 V  Texas Instruments 最大栅源电压 +10/-8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 +10/-8 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅源电压 +10/-8 V   最低工作温度 -55 °C  Texas Instruments 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Texas Instruments 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.9V  Texas Instruments 最小栅阈值电压 0.9V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.9V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.9V  
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MOSFET N-CH 25V 6-SON

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MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET

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MOSFET,N CH,25V,5A,SON-6, FULL REEL

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
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TEXAS INSTRUMENTS CSD16301Q2		1854243

TEXAS INSTRUMENTS

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 25 V, 0.019 ohm, 8 V, 1.2 V

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TEXAS INSTRUMENTS CSD16301Q2		2435712

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晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 25 V, 0.019 ohm, 8 V, 1.2 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 25 V, 0.019 ohm, 8 V, 1.2 V

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Texas Instruments - CSD16301Q2 - MOSFET N-CH 25V 6-SON		Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 6-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.3W（Ta） 6-SON

型号：CSD16301Q2
仓库库存编号：296-25260-1-ND
别名：296-25260-1 <br>

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Texas Instruments - CSD16301Q2 - Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16301Q2, 5 A, Vds=25 V, 6引脚 SON封装
制造商零件编号：
CSD16301Q2
品牌：
Texas Instruments
库存编号：
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