IRFSL3806PBF,827-4117,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装

制造商零件编号：
IRFSL3806PBF
库存编号：
827-4117
Infineon IRFSL3806PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFSL3806PBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFSL3806PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 9.65mm  
  典型关断延迟时间  49 ns  
  典型接通延迟时间  6.3 ns  
  典型输入电容值@Vds  1150 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  22 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-262  
  高度  9.65mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  71 W  
  最大连续漏极电流  43 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  15.8 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 43A, 71W, TO262, HEXFET?

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Infineon - IRFSL3806PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
制造商零件编号：
IRFSL3806PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
827-4117
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Infineon Technologies - IRFSL3806PBF - MOSFET N-CH 60V 43A TO-262		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） TO-262

型号：IRFSL3806PBF
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别名：SP001571672 <br>

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型号：IRFSL3806PBF
仓库库存编号：171-40-726

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IRFSL3806PBF
INFINEON IRFSL3806PBF		1602235

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 12.6 mohm, 10 V, 4 V

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IRFSL3806PBF|International RectifierIRFSL3806PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 60V 43A TO-262
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IRFSL3806PBF产品技术参数资料

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