IPB090N06N3G,826-9529,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB090N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB090N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
IPB090N06N3G
库存编号：
826-9529
Infineon IPB090N06N3G
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IPB090N06N3GATMA1
库存编号:IPB090N06N3GATMA1TR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK0
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IPB090N06N3GATMA1
库存编号:IPB090N06N3GATMA1DKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK0
1起订		1+
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IPB090N06N3GATMA1
库存编号:IPB090N06N3GATMA1CT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK0
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IPB090N06N3 G
库存编号:726-IPB090N06N3G		 Infineon Technologies AG MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 32342
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IPB090N06N3GATMA1
库存编号:IPB090N06N3GATMA1		 Infineon Technologies AG Semiconductors750
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IPB090N06N3GXT
库存编号:IPB090N06N3GATMA1		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB090N06N3GATMA1)0
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4000+
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IPB090N06N3GATMA1
库存编号:82779827		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R0
1000起订		1000+
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IPB090N06N3GATMA1
库存编号:84981117		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R0
1000起订		1000+
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5000+
￥6.62
￥6.21
￥5.99
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IPB090N06N3GATMA1
库存编号:87044855		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R0
646起订		646+
1000+
￥7.8
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IPB090N06N3GATMA1
库存编号:82119685		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R0
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￥8.09
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IPB090N06N3GATMA1
库存编号:1775550		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 50A, 60V, PG-TO263-3833
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IPB090N06N3GATMA1
库存编号:IPB090N06N3GATMA1		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 50A, 71W, PG-TO263-30
1起订		1+
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IPB090N06N3G产品详细信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS? 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
极低导通电阻 R DS(on)
无铅电镀

IPB090N06N3G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.31mm  
  尺寸  10.31 x 9.45 x 4.57mm  
  典型关断延迟时间  20 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  2900 pF @ 30 V  
  典型栅极电荷@Vgs  36 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.45mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  71 W  
  最大连续漏极电流  50 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.009 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IPB090N06N3G相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.31mm  Infineon 长度 10.31mm  MOSFET 晶体管 长度 10.31mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.31mm   尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  Infineon 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm   典型关断延迟时间 20 ns  Infineon 典型关断延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns   典型接通延迟时间 15 ns  Infineon 典型接通延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns   典型输入电容值@Vds 2900 pF @ 30 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 2900 pF @ 30 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2900 pF @ 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2900 pF @ 30 V   典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V   封装类型 TO-263  Infineon 封装类型 TO-263  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263   高度 4.57mm  Infineon 高度 4.57mm  MOSFET 晶体管 高度 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.57mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.45mm  Infineon 宽度 9.45mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.45mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 9.45mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS 3  Infineon 系列 OptiMOS 3  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 71 W  Infineon 最大功率耗散 71 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 71 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 71 W   最大连续漏极电流 50 A  Infineon 最大连续漏极电流 50 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A   最大漏源电压 60 V  Infineon 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 0.009 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 0.009 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.009 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.009 Ω   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

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MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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MOSFETs

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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB090N06N3GATMA1)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB090N06N3GATMA1
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Single N-Channel 60 V 9 mOhm 36 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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IPB090N06N3GATMA1
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 50A, 71W, PG-TO263-3

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Infineon - IPB090N06N3G - Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB090N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
制造商零件编号：
IPB090N06N3G
品牌：
Infineon
库存编号：
826-9529
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IPB090N06N3 G|INFINEONIPB090N06N3 G
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 50A 60V PG-TO263-3
Rohs

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无图IPB090N06N3G
Infineon Technologies		原厂原装货
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INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 50A 60V PG-TO263-3
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Infineon Technologies		MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
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Infineon Technologies - IPB090N06N3 G - MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2

型号：IPB090N06N3 G
仓库库存编号：IPB090N06N3 GCT-ND
别名：IPB090N06N3 GCT <br>

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