BSR315PL6327,826-9395,Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR315PL6327, 620 mA, Vds=60 V, 3引脚 SC-59封装 ,Infineon
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Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR315PL6327, 620 mA, Vds=60 V, 3引脚 SC-59封装

制造商零件编号：
BSR315PL6327
库存编号：
826-9395
Infineon BSR315PL6327
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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BSR315PL6327产品详细信息

Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS? 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

BSR315PL6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.6 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  21 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  132 pF@ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  4 nC @ 10 V  
  封装类型  SC-59  
  高度  1.1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.6mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大连续漏极电流  620 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  800 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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型号 制造商 描述 操作
BSR315PL6327HTSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
BSR315P L6327
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET P-Ch -60V -620mA SOT-23-3

RoHS: Compliant

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BSR315PL6327HTSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET P-Ch -60V -620mA SOT-23-3

RoHS: Compliant

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Infineon - BSR315PL6327 - Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR315PL6327, 620 mA, Vds=60 V, 3引脚 SC-59封装
制造商零件编号：
BSR315PL6327
品牌：
Infineon
库存编号：
826-9395
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BSR315PL6327HTSA1
INFINEON BSR315PL6327HTSA1		2212885

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -620 mA, -60 V, 0.62 ohm, -10 V, -1.5 V

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BSR315P L6327|INFINEONBSR315P L6327
INFINEON		场效应管 MOSFET P沟道 60V 620mA SC-59
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无图BSR315PL6327XT
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INFINEON		场效应管 MOSFET P沟道 60V 620mA SC-59
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Infineon Technologies		MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
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Infineon Technologies - BSR315PL6327HTSA1 - MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59

型号：BSR315PL6327HTSA1
仓库库存编号：BSR315PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR315P L6327 <br>BSR315P L6327-ND <br>SP000265405 <br>

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BSR315PL6327产品技术参数资料

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