BSR202NL6327,826-9386,Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR202NL6327, 3.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR202NL6327, 3.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装

制造商零件编号：
BSR202NL6327
库存编号：
826-9386
Infineon BSR202NL6327
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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BSR202NL6327产品详细信息

Infineon OptiMOS?2 功率 MOSFET 系列

Infineon OptiMOS?2 N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 OptiMOS 2 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。

BSR202NL6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.6 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  19 ns  
  典型接通延迟时间  8.8 ns  
  典型输入电容值@Vds  863 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  5.8 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SC-59  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.6mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 2  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大连续漏极电流  3.8 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  33 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.2V  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.7V  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Infineon 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.6 x 1.1mm  Infineon 尺寸 3 x 1.6 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.6 x 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.6 x 1.1mm   典型关断延迟时间 19 ns  Infineon 典型关断延迟时间 19 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns   典型接通延迟时间 8.8 ns  Infineon 典型接通延迟时间 8.8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.8 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.8 ns   典型输入电容值@Vds 863 pF @ 10 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 863 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 863 pF @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 863 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V   封装类型 SC-59  Infineon 封装类型 SC-59  MOSFET 晶体管 封装类型 SC-59  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 SC-59   高度 1.1mm  Infineon 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.6mm  Infineon 宽度 1.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm   类别 小信号  Infineon 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  Infineon MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS 2  Infineon 系列 OptiMOS 2  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 2  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 2   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 500 mW  Infineon 最大功率耗散 500 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW   最大连续漏极电流 3.8 A  Infineon 最大连续漏极电流 3.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.8 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.8 A   最大漏源电压 20 V  Infineon 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 33 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 33 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 33 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 33 mΩ   最大栅阈值电压 1.2V  Infineon 最大栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V   最大栅源电压 ±12 V  Infineon 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.7V  Infineon 最小栅阈值电压 0.7V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSR202NL6327HTSA1
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MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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BSR202NL6327HTSA1
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MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59

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MOSFET N-Ch 20V 3.8A SOT-23-3

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 3-Pin SC-59 T/R - Tape and Reel (Alt: BSR202NL6327HTSA1)

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A Automotive 3-Pin SC-59 T/R

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A Automotive 3-Pin SC-59 T/R

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A Automotive 3-Pin SC-59 T/R

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BSR202NL6327HTSA1
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MOSFET, N-CH, 20V, 3.8A, SC-59

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BSR202NL6327HTSA1
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Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A Automotive 3-Pin SC-59 T/R

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BSR202NL6327HTSA1
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 20V, 3.8A, 0.5W, SC59, OptiMOS? 2

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Infineon - BSR202NL6327 - Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR202NL6327, 3.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
制造商零件编号：
BSR202NL6327
品牌：
Infineon
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BSR202N L6327|INFINEONBSR202N L6327
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 20V 3.8A SC-59
Rohs

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无图BSR202NL6327
Infineon technologies		原厂原装货
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无图BSR202NL6327XT
Infineon Technologies		原厂原装货
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BSR202N L6327|INFINEONBSR202N L6327
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 20V 3.8A SC-59
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BSR202N L6327|Infineon TechnologiesBSR202N L6327
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59
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Infineon Technologies - BSR202N L6327 - MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59

型号：BSR202N L6327
仓库库存编号：BSR202N L6327CT-ND
别名：BSR202N L6327CT <br>

无铅		搜索
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
BSR202NL6327HTSA1
INFINEON BSR202NL6327HTSA1		2212888

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 20 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 950 mV

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSR202NL6327产品技术参数资料

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