IRF7329PBF,826-8894,Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7329PBF, 9.2 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7329PBF, 9.2 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
IRF7329PBF
库存编号：
826-8894
Infineon IRF7329PBF
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7329TRPBF
库存编号:IRF7329PBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO1892
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IRF7329TRPBF
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IRF7329PBF
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IRF7329TRPBF
库存编号:IRF7329PBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
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IRF7329PBF International Rectifier 9.2 MA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA4
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IRF7329PBF产品详细信息

P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF7329PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  340 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  3450 pF @ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  38 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  9.2 A  
  最大漏源电压  12 V  
  最大漏源电阻值  30 mΩ  
  最大栅阈值电压  0.9V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.4V  
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IRF7329PBF配套附件

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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Infineon 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.5mm  Infineon 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm   典型关断延迟时间 340 ns  Infineon 典型关断延迟时间 340 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 340 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 340 ns   典型接通延迟时间 10 ns  Infineon 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 3450 pF @ -10 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 3450 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3450 pF @ -10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3450 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 4.5 V   封装类型 SOIC  Infineon 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  Infineon 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Infineon 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 4mm  Infineon 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  Infineon 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 8  Infineon 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2 W  Infineon 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 9.2 A  Infineon 最大连续漏极电流 9.2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9.2 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9.2 A   最大漏源电压 12 V  Infineon 最大漏源电压 12 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V   最大漏源电阻值 30 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 30 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 30 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 30 mΩ   最大栅阈值电压 0.9V  Infineon 最大栅阈值电压 0.9V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.9V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.9V   最大栅源电压 ±8 V  Infineon 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.4V  Infineon 最小栅阈值电压 0.4V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  
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IRF7329PBF
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MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

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MOSFET 20V DUAL P-CH HEXFET 17mOhms 38nC

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Trans MOSFET P-CH 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7329PBF)

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Trans MOSFET P-CH 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R - Rail/Tube (Alt: IRF7329PBF)

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Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC Tube

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MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8

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Dual P-Channel 12 V 17 mOhm 38 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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MOSFET, Power, Dual P-Ch, VDSS -12V, RDS(ON) 17 Milliohms, ID -9.2A, SO-8, PD 2W, -55de

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9.2 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA

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IRF7329PBF
INFINEON IRF7329PBF		1013375

INFINEON

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV

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IR - IRF7329PBF - MOSFET P/P, 12 V 9.2 A 2 W SO-8, IRF7329PBF, IR		IR
MOSFET P/P, 12 V 9.2 A 2 W SO-8, IRF7329PBF, IR

型号：IRF7329PBF
仓库库存编号：300-02-239

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Infineon - IRF7329PBF - Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7329PBF, 9.2 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
IRF7329PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
826-8894
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International Rectifier - IRF7329PBF - -55de PD 2W SO-8 ID -9.2A RDS(ON) 17 Milliohms VDSS -12V Dual P-Ch MOSFET, Power|70017580 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 17 Milliohms; ID -9.2A; SO-8; PD 2W; -55de

型号：IRF7329PBF
仓库库存编号：70017580

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QQ:800152669

IRF7329PBF产品技术参数资料

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