PMGD370XN,816-6896,Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD370XN, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-88封装 ,Nexperia
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Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD370XN, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-88封装

制造商零件编号：
PMGD370XN
库存编号：
816-6896
Nexperia PMGD370XN
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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PMGD370XN,115
库存编号:568-2367-6-ND		 Nexperia MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP0
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PMGD370XN,115
库存编号:568-2367-1-ND		 Nexperia MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP0
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PMGD370XN,115
库存编号:568-2367-2-ND		 Nexperia MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
PMGD370XN,115 NXP Semiconductors 740 MA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET140
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PMGD370XN产品详细信息

双 N 通道 MOSFET，Nexperia

PMGD370XN产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.2mm  
  尺寸  2.2 x 1.35 x 1mm  
  典型关断延迟时间  14 ns  
  典型接通延迟时间  6.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  37 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.65 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SC-88  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  410 mW  
  最大连续漏极电流  1.5 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  748 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.5V  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.5V  
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型号 制造商 描述 操作
PMGD370XN,115
[更多]		 Nexperia

MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
PMGD370XN,115
[更多]		 Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.74A 6-Pin TSSOP T/R

pbFree: No

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Nexperia - PMGD370XN - Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD370XN, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-88封装
制造商零件编号：
PMGD370XN
品牌：
Nexperia
库存编号：
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PMGD370XN|NXPPMGD370XN
NXP		场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 0.74A SOT363
Rohs

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无图PMGD370XN 115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH TRENCH DL 30V
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PMGD370XN,115|NXPPMGD370XN,115
NXP		PMGD 系列 30 V 440 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363
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无图PMGD370XN115
NXP		原厂原装货
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PMGD370XN,115|NXPPMGD370XN,115
NXP		PMGD 系列 30 V 440 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363
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PMGD370XN,115|NXP SemiconductorsPMGD370XN,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP
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PMGD370XN|NXPPMGD370XN
NXP		场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 0.74A SOT363
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PMGD370XN,115|NXP SemiconductorsPMGD370XN,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
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Nexperia USA Inc. - PMGD370XN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP		Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 740mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP

型号：PMGD370XN,115
仓库库存编号：568-2367-1-ND
别名：568-2367-1 <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PMGD370XN
NEXPERIA PMGD370XN		1894746RL

NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 740 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 V

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PMGD370XN
NEXPERIA PMGD370XN		1894746

NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 740 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 V

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