2N7002BKV,792-0756,Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002BKV, 340 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-666封装 ,Nexperia
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Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002BKV, 340 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-666封装

制造商零件编号:
2N7002BKV
库存编号:
792-0756
Nexperia 2N7002BKV
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2N7002BKV产品详细信息

双 N 通道 MOSFET,Nexperia

2N7002BKV产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.7mm  
  尺寸  1.7 x 1.3 x 0.6mm  
  典型关断延迟时间  12 ns  
  典型接通延迟时间  5 ns  
  典型输入电容值@Vds  33 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.5 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-666  
  高度  0.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.3mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  410 mW  
  最大连续漏极电流  340 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  1.6 Ω  
  最大栅阈值电压  2.1V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.1V  
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MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666

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MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB

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MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA

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MOSFET 2N7002BK/TO-236AB/REEL 11" Q3/

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2N7002BK/TO-236AB/REEL 11" Q3/ - Tape and Reel (Alt: 2N7002BKVL)

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Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R - Tape and Reel (Alt: 2N7002BKV,115)

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MOSFET,NN CH,60V,0.34A,SOT666

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2N7002BKV,115
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2N7002BKV Series Dual N-Channel 60 V 1.6 Ohm 350 mW 0.6nC TrenchMOS FET - SOT666

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2N7002BKV|NXP2N7002BKV
NXP
场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.34A SOT666
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无图2N7002BKV 115
NXP Semiconductors
MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA
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2N7002BKV,115|NXP2N7002BKV,115
NXP
2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 340 mA TrenchMOS FET - SOT666
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2N7002BKV,115|NXP Semiconductors2N7002BKV,115
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MOSFET N-CH 60V 340MA SOT666
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Nexperia - 2N7002BKV - Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002BKV, 340 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-666封装

制造商零件编号:
2N7002BKV
品牌:
Nexperia
库存编号:
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Nexperia USA Inc. - 2N7002BKV,115 - MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 340mA 350mW Surface Mount SOT-666

型号:2N7002BKV,115
仓库库存编号:1727-4787-1-ND
别名:1727-4787-1 <br>568-5979-1 <br>568-5979-1-ND <br>

无铅
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2N7002BKV
NEXPERIA 2N7002BKV
1859844

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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 340 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V

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1859844RL

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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 340 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V

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