BSZ165N04NS G,754-5377,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ165N04NS G, 31 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ165N04NS G, 31 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装

制造商零件编号：
BSZ165N04NS G
库存编号：
754-5377
Infineon BSZ165N04NS G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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BSZ165N04NS G产品详细信息

IInfineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，高达 40V

OptiMOS?产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
极低导通电阻 R DS(on)
无铅电镀

BSZ165N04NS G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.4mm  
  尺寸  3.4 x 3.4 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  6.8 ns  
  典型接通延迟时间  5.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  630 pF @ 20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  7.8 nC @ 10 V  
  封装类型  TSDSON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.4mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 3  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  25 W  
  最大连续漏极电流  31 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  16.5 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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BSZ165N04NS G相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.4mm  Infineon 长度 3.4mm  MOSFET 晶体管 长度 3.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3.4mm   尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm  Infineon 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm   典型关断延迟时间 6.8 ns  Infineon 典型关断延迟时间 6.8 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 6.8 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 6.8 ns   典型接通延迟时间 5.4 ns  Infineon 典型接通延迟时间 5.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.4 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.4 ns   典型输入电容值@Vds 630 pF @ 20 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 630 pF @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 630 pF @ 20 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 630 pF @ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 7.8 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 7.8 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.8 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.8 nC @ 10 V   封装类型 TSDSON  Infineon 封装类型 TSDSON  MOSFET 晶体管 封装类型 TSDSON  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TSDSON   高度 1.1mm  Infineon 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.4mm  Infineon 宽度 3.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 3.4mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS 3  Infineon 系列 OptiMOS 3  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3   引脚数目 8  Infineon 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 25 W  Infineon 最大功率耗散 25 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 25 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 25 W   最大连续漏极电流 31 A  Infineon 最大连续漏极电流 31 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 31 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 31 A   最大漏源电压 40 V  Infineon 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 16.5 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 16.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 16.5 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 16.5 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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BSZ165N04NSGATMA1
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MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8

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MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP - Tape and Reel (Alt: BSZ165N04NSGATMA1)

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Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

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MOSFET, N CH, 31A, 40V, PG-TSDSON-8

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BSZ165N04NSGATMA1
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 40V, 20A, 50W, PG-TSDSON-8

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Infineon - BSZ165N04NS G - Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ165N04NS G, 31 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
制造商零件编号：
BSZ165N04NS G
品牌：
Infineon
库存编号：
754-5377
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BSZ165N04NSGATMA1
INFINEON BSZ165N04NSGATMA1		1775508

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 40 V, 13.8 mohm, 10 V, 2 V

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Infineon Technologies - BSZ165N04NS G - MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta），31A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8

型号：BSZ165N04NS G
仓库库存编号：BSZ165N04NSGINCT-ND
别名：BSZ165N04NSGINCT <br>

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BSZ165N04NS G|INFINEONBSZ165N04NS G
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 31A 40V PG-TSDSON-8
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INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 31A 40V PG-TSDSON-8
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QQ:800152669

BSZ165N04NS G产品技术参数资料

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