SPB18P06P G,753-3169,Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
SPB18P06P G
库存编号：
753-3169
Infineon SPB18P06P G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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SPB18P06P G产品详细信息

Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS? 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

SPB18P06P G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 4.4 x 9.25mm  
  典型关断延迟时间  25 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  690 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  21 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  9.25mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  SIPMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  81.1 W  
  最大连续漏极电流  18.6 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.13 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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参考价格及参考库存
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SPB18P06P G
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2

RoHS: Compliant

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SPB18P06PGATMA1
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MOSFET P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2

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SPB18P06P G
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Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant | pbFree: No

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Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: SPB18P06PGATMA1)

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Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

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Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Infineon Technologies - SPB18P06P G - MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-2

型号：SPB18P06P G
仓库库存编号：SPB18P06PGINCT-ND
别名：SPB18P06PGINCT <br>

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SPB18P06PGATMA1
INFINEON SPB18P06PGATMA1		2212884

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V

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Infineon - SPB18P06P G - Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
制造商零件编号：
SPB18P06P G
品牌：
Infineon
库存编号：
753-3169
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SPB18P06P G|INFINEONSPB18P06P G
INFINEON		场效应管 MOSFET P沟道 60V 18.7A TO-263
Rohs

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无图SPB18P06PG
Infineon technologies		原厂原装货
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无图SPB18P06PGXT
Infineon Technologies		原厂原装货
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SPB18P06P G|INFINEONSPB18P06P G
INFINEON		场效应管 MOSFET P沟道 60V 18.7A TO-263
Rohs

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SPB18P06P G|Infineon TechnologiesSPB18P06P G
Infineon Technologies		MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
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SPB18P06P G|Infineon TechnologiesSPB18P06P G
Infineon Technologies		MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
Rohs

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SPB18P06P G产品技术参数资料

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