ZXMS6005SGTA,738-5216,DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6005SGTA, 2 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6005SGTA, 2 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号：
ZXMS6005SGTA
库存编号：
738-5216
DiodesZetex ZXMS6005SGTA
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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ZXMS6005SGTA产品详细信息

IntelliFET 自保护 MOSFET，Diodes Inc

IntelliFET 是自保护型 MOSFET，集成了完整保护电路，可防止 ESD（静电敏感设备）、过电流、过电压和过温条件。

短路保护，具有自动重启
过压保护（有源箝位）
过电流保护
输入保护 (ESD)
高连续电流额定值
负载突卸保护
逻辑电平输入

ZXMS6005SGTA产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.55mm  
  尺寸  6.55 x 3.55 x 1.65mm  
  典型关断延迟时间  34000 ns  
  典型接通延迟时间  6000 ns  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.65mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.55mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  IntelliFET  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  1.6 W  
  最大连续漏极电流  2 A  
  最大漏源电压  70 V  
  最大漏源电阻值  250 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.5V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +125 °C  
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安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.55mm  DiodesZetex 长度 6.55mm  MOSFET 晶体管 长度 6.55mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.55mm   尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm  DiodesZetex 尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm   典型关断延迟时间 34000 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 34000 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 34000 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 34000 ns   典型接通延迟时间 6000 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 6000 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6000 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6000 ns   封装类型 SOT-223  DiodesZetex 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.65mm  DiodesZetex 高度 1.65mm  MOSFET 晶体管 高度 1.65mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.65mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.55mm  DiodesZetex 宽度 3.55mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.55mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 3.55mm   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 IntelliFET  DiodesZetex 系列 IntelliFET  MOSFET 晶体管 系列 IntelliFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 系列 IntelliFET   引脚数目 3+Tab  DiodesZetex 引脚数目 3+Tab  MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab   最大功率耗散 1.6 W  DiodesZetex 最大功率耗散 1.6 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.6 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.6 W   最大连续漏极电流 2 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2 A   最大漏源电压 70 V  DiodesZetex 最大漏源电压 70 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 70 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 70 V   最大漏源电阻值 250 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 250 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 250 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 250 mΩ   最大栅阈值电压 1.5V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最低工作温度 -40 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +125 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +125 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +125 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +125 °C  
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型号 制造商 描述 操作
ZXMS6005SGTA
[更多]		 Diodes Incorporated

IC LOW SIDE DRIVER

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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ZXMS6005SGTA
[更多]		 Diodes Incorporated

MOSFET 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh

RoHS: Compliant

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ZXMS6005SGTA
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Self Protected Low Side MOSFET 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Trans MOSFET N-CH 70V 2A 4-Pin SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMS6005SGTA)

RoHS: Not Compliant

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ZXMS6005SGTA
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Trans MOSFET N-CH 70V 2A 4-Pin SOT-223 T/R (Alt: ZXMS6005SGTA)

RoHS: Compliant

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ZXMS6005SGTA
[更多]		 Diodes Incorporated

Trans MOSFET N-CH 70V 2A 4-Pin SOT-223 T/R (Alt: ZXMS6005SGTA)

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Self Protected Low Side MOSFET Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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MOSFET, N CH, W ESD, 60V, 2A, SOT223

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MOSFET, N CH, W ESD, 60V, 2A, SOT223

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Self Protected Low Side MOSFET SOT223

RoHS: Compliant

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ZXMS6005SGTA
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Power FET Operating temperature: -40...+125 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N channel Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1 W

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Diodes Incorporated - ZXMS6005SGTA - IC LOW SIDE DRIVER		Diodes Incorporated
IC LOW SIDE DRIVER

型号：ZXMS6005SGTA
仓库库存编号：ZXMS6005SGTA-ND

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ZXMS6005SGTA|Diodes IncZXMS6005SGTA
Diodes Inc		场效应管 MOSFET N沟道 ESD 60V 2A SOT223
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
ZXMS6005SGTA|Diodes IncZXMS6005SGTA
Diodes Inc		场效应管 MOSFET N沟道 ESD 60V 2A SOT223
Rohs

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DiodesZetex - ZXMS6005SGTA - DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6005SGTA, 2 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
制造商零件编号：
ZXMS6005SGTA
品牌：
DiodesZetex
库存编号：
738-5216
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Diodes Inc - ZXMS6005SGTA - Self Protected Low Side MOSFET SOT223|70438881 | ChuangWei Electronics		Diodes Inc
Self Protected Low Side MOSFET SOT223

型号：ZXMS6005SGTA
仓库库存编号：70438881

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Diodes Incorporated - ZXMS6005SGTA - Power FET SOT-223 N channel 60 V 1.6 A, ZXMS6005SGTA, Diodes Incorporated		Diodes Incorporated
Power FET SOT-223 N channel 60 V 1.6 A, ZXMS6005SGTA, Diodes Incorporated

型号：ZXMS6005SGTA
仓库库存编号：300-41-575

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
ZXMS6005SGTA
DIODES INC. ZXMS6005SGTA		1902501

DIODES INC.

晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V

 (EN)		搜索
ZXMS6005SGTA
DIODES INC. ZXMS6005SGTA		1902501RL

DIODES INC.

晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V

 (EN)		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

ZXMS6005SGTA产品技术参数资料

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