AUIRFB4610,737-7464,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB4610, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB4610, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
AUIRFB4610
库存编号：
737-7464
Infineon AUIRFB4610
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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AUIRFB4610
库存编号:AUIRFB4610-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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AUIRFB4610
库存编号:85966674		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
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500+
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￥24.15
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AUIRFB4610
库存编号:85966710		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
200起订		200+
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AUIRFB4610 International Rectifier  
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AUIRFB4610产品详细信息

汽车 N 通道功率 MOSFET，Infineon

Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

AUIRFB4610产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.66mm  
  尺寸  10.66 x 4.82 x 16.51mm  
  典型关断延迟时间  53 ns  
  典型接通延迟时间  18 ns  
  典型输入电容值@Vds  3550 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  90 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  16.51mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.82mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  190 W  
  最大连续漏极电流  73 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  14 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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AUIRFB4610配套附件

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安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.66mm  Infineon 长度 10.66mm  MOSFET 晶体管 长度 10.66mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.66mm   尺寸 10.66 x 4.82 x 16.51mm  Infineon 尺寸 10.66 x 4.82 x 16.51mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.66 x 4.82 x 16.51mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.66 x 4.82 x 16.51mm   典型关断延迟时间 53 ns  Infineon 典型关断延迟时间 53 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 53 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 53 ns   典型接通延迟时间 18 ns  Infineon 典型接通延迟时间 18 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns   典型输入电容值@Vds 3550 pF@ 50 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 3550 pF@ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3550 pF@ 50 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3550 pF@ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 16.51mm  Infineon 高度 16.51mm  MOSFET 晶体管 高度 16.51mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 16.51mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.82mm  Infineon 宽度 4.82mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.82mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.82mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 190 W  Infineon 最大功率耗散 190 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 190 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 190 W   最大连续漏极电流 73 A  Infineon 最大连续漏极电流 73 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 73 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 73 A   最大漏源电压 100 V  Infineon 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 14 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 14 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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AUIRFB4610
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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AUIRFB4610
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
AUIRFB4610
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube (Alt: AUIRFB4610)

RoHS: Compliant

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AUIRFB4610
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube - Rail/Tube (Alt: AUIRFB4610)

RoHS: Compliant

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AUIRFB4610
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET,N CH,100V,73A,TO220AB

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型号 制造商 描述 操作
AUIRFB4610
[更多]		 Infineon Technologies AG

AUIRFB4610 N-channel MOSFET Transistor,73 A, 100 V, 4-Pin TO-220AB

RoHS: Compliant

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Infineon Technologies - AUIRFB4610 - MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB

型号：AUIRFB4610
仓库库存编号：AUIRFB4610-ND
别名：SP001515858 <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
AUIRFB4610
INFINEON AUIRFB4610		1864537

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 2 V

 (EN)		搜索
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - AUIRFB4610 - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB4610, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
AUIRFB4610
品牌：
Infineon
库存编号：
737-7464
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AUIRFB4610|International RectifierAUIRFB4610
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
Rohs

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International Rectifier - AUIRFB4610 - 4-Pin TO-220AB 100 V 73 A AUIRFB4610 N-channel MOSFET Transistor|70411505 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
AUIRFB4610 N-channel MOSFET Transistor, 73 A, 100 V, 4-Pin TO-220AB

型号：AUIRFB4610
仓库库存编号：70411505

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AUIRFB4610|International RectifierAUIRFB4610
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
Rohs

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AUIRFB4610|International RectifierAUIRFB4610
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
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