IRLML6344TRPBF,737-7225,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6344TRPBF, 5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6344TRPBF, 5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
IRLML6344TRPBF
库存编号：
737-7225
Infineon IRLML6344TRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRLML6344TRPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRLML6344TRPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.04mm  
  尺寸  3.04 x 1.4 x 1.02mm  
  典型关断延迟时间  22 ns  
  典型接通延迟时间  4.2 ns  
  典型输入电容值@Vds  650 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  6.8 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1.02mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1.3 W  
  最大连续漏极电流  5 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  37 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.1V  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.5V  
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Infineon Technologies - IRLML6344TRPBF - MOSFET N-CH 30V 5A SOT23		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23

型号：IRLML6344TRPBF
仓库库存编号：IRLML6344TRPBFCT-ND
别名：IRLML6344TRPBFCT <br>

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IR - IRLML6344TRPBF - MOSFET N, 30 V 5.0 A 1.3 W SOT-23, IRLML6344TRPBF, IR		IR
MOSFET N, 30 V 5.0 A 1.3 W SOT-23, IRLML6344TRPBF, IR

型号：IRLML6344TRPBF
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晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 22 mohm, 4.5 V, 800 mV

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Infineon - IRLML6344TRPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6344TRPBF, 5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
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IRLML6344TRPBF产品技术参数资料

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