IRF9333PBF,725-9259,Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9333PBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9333PBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
IRF9333PBF
库存编号：
725-9259
Infineon IRF9333PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IRF9333PBF产品详细信息

P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF9333PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.98mm  
  尺寸  4.98 x 3.99 x 1.57mm  
  典型关断延迟时间  55 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  1110 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  14 nC @ 4.5 V，25 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.57mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.99mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2500 mW  
  最大连续漏极电流  9.2 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  19.4 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.3V  
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IRF9333PBF配套附件

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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.98mm  Infineon 长度 4.98mm  MOSFET 晶体管 长度 4.98mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 4.98mm   尺寸 4.98 x 3.99 x 1.57mm  Infineon 尺寸 4.98 x 3.99 x 1.57mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.98 x 3.99 x 1.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 4.98 x 3.99 x 1.57mm   典型关断延迟时间 55 ns  Infineon 典型关断延迟时间 55 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55 ns   典型接通延迟时间 16 ns  Infineon 典型接通延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns   典型输入电容值@Vds 1110 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1110 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1110 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1110 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V，25 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V，25 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V，25 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V，25 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  Infineon 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.57mm  Infineon 高度 1.57mm  MOSFET 晶体管 高度 1.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.57mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.99mm  Infineon 宽度 3.99mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.99mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 3.99mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 8  Infineon 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2500 mW  Infineon 最大功率耗散 2500 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2500 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2500 mW   最大连续漏极电流 9.2 A  Infineon 最大连续漏极电流 9.2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9.2 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9.2 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 19.4 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 19.4 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 19.4 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 19.4 mΩ   最大栅阈值电压 2.4V  Infineon 最大栅阈值电压 2.4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.3V  Infineon 最小栅阈值电压 1.3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.3V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.3V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IRF9333PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO

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IRF9333PBF
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MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC

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IRF9333PBF
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Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N Tube - Rail/Tube (Alt: IRF9333PBF)

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IRF9333PBF
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Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N Tube (Alt: SP001554504)

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, MOSFET, P, 30V, 9.2A, SO-8

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IRF9333PBF
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IRF9333PBF P-channel MOSFET Transistor, 9.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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IR - IRF9333PBF - MOSFET P, -30 V -9.2 A 2.5 W SO-8, IRF9333PBF, IR		IR
MOSFET P, -30 V -9.2 A 2.5 W SO-8, IRF9333PBF, IR

型号：IRF9333PBF
仓库库存编号：171-37-236

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IRF9333PBF|International RectifierIRF9333PBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 30V 9.2A SO-8
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IRF9333PBF|International RectifierIRF9333PBF
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Infineon - IRF9333PBF - Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9333PBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
IRF9333PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
725-9259
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IRF9333PBF
INFINEON IRF9333PBF		1831077

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 15.6 mohm, -10 V, -1.8 V

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IRF9333PBF.
INFINEON IRF9333PBF.		2127774

INFINEON

场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOIC

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International Rectifier - IRF9333PBF - 8-Pin SOIC 30 V 9.2 A IRF9333PBF P-channel MOSFET Transistor|70019296 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
IRF9333PBF P-channel MOSFET Transistor, 9.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC

型号：IRF9333PBF
仓库库存编号：70019296

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IRF9333PBF产品技术参数资料

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