IRFD320PBF,708-4774,Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD320PBF, 490 mA, Vds=400 V, 4引脚 HVMDIP封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD320PBF, 490 mA, Vds=400 V, 4引脚 HVMDIP封装

制造商零件编号：
IRFD320PBF
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
708-4774
Vishay IRFD320PBF
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRFD320PBF
库存编号:IRFD320PBF-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP2713
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,"cvcgetWeb":["c3JjPTEmUE49SVJGRDMyMFBCRi1ORA=="],"cvcModel":["IRFD320PBF"],"cvcBrand":[" Vishay Siliconix "],"cvcNumberAll":["1,10,100,500,1000,2000,"],"cvcPriceAll":["32.27,20.82,14.27,11.46,10.56,9.81,"],"maxnum":["2713"],"minnum":["1"],"mytime":["6-10天"],"haveiscanbuy":["yes"],

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IRFD320PBF产品详细信息

N 通道 MOSFET，300V 至 400V，Vishay Semiconductor

IRFD320PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 6.29 x 3.37mm  
  典型关断延迟时间  30 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  410 pF V @ 25  
  典型栅极电荷@Vgs  20 nC V @ 10  
  封装类型  HexDIP，HVMDIP  
  高度  3.37mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.29mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  1000 mW  
  最大连续漏极电流  0.49 A  
  最大漏源电压  400 V  
  最大漏源电阻值  1.8 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 5mm  Vishay 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  Vishay 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm   典型关断延迟时间 30 ns  Vishay 典型关断延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns   典型接通延迟时间 10 ns  Vishay 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 410 pF V @ 25  Vishay 典型输入电容值@Vds 410 pF V @ 25  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 410 pF V @ 25  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 410 pF V @ 25   典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 10  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 10  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 10  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 10   封装类型 HexDIP，HVMDIP  Vishay 封装类型 HexDIP，HVMDIP  MOSFET 晶体管 封装类型 HexDIP，HVMDIP  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 HexDIP，HVMDIP   高度 3.37mm  Vishay 高度 3.37mm  MOSFET 晶体管 高度 3.37mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 3.37mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.29mm  Vishay 宽度 6.29mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.29mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.29mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  Vishay 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 1000 mW  Vishay 最大功率耗散 1000 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1000 mW  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1000 mW   最大连续漏极电流 0.49 A  Vishay 最大连续漏极电流 0.49 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 0.49 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 0.49 A   最大漏源电压 400 V  Vishay 最大漏源电压 400 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 400 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 400 V   最大漏源电阻值 1.8 Ω  Vishay 最大漏源电阻值 1.8 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.8 Ω  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.8 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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型号 制造商 描述 操作
IRFD320PBF
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFD320PBF
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MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp

RoHS: Compliant

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IRFD320
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MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp

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Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP

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Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP - Tape and Reel (Alt: IRFD320PBF)

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Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP

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Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP

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Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP

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N Chan, 400V, 1.8OHMS@ 10V, HVMDIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFD320PBF
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MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp

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Vishay Siliconix - IRFD320PBF - MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 490mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

型号：IRFD320PBF
仓库库存编号：IRFD320PBF-ND
别名：*IRFD320PBF <br>

无铅		搜索
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRFD320PBF - Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD320PBF, 490 mA, Vds=400 V, 4引脚 HVMDIP封装
制造商零件编号：
IRFD320PBF
品牌：
Vishay
库存编号：
708-4774
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IRFD320PBF|Vishay SemiconductorsIRFD320PBF
Vishay Semiconductors		MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFD320PBF|Vishay SiliconixIRFD320PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
Rohs

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Vishay Dale - IRFD320PBF - IRFD320PBF TRANSITOR|R1084544 | ChuangWei Electronics		Vishay Dale
TRANSITOR, IRFD320PBF

型号：IRFD320PBF
仓库库存编号：R1084544
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IRFD320PBF
Vishay Semiconductors		MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp
Rohs

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IRFD320PBF|Vishay SiliconixIRFD320PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
Rohs

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFD320PBF产品技术参数资料

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