ZXMP7A17GTA,708-2478,DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17GTA, 3.7 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17GTA, 3.7 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
ZXMP7A17GTA
库存编号:
708-2478
DiodesZetex ZXMP7A17GTA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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ZXMP7A17GTA
库存编号:ZXMP7A17GDKR-ND
Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT2237579
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ZXMP7A17GTA
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ZXMP7A17GTA
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ZXMP7A17GTA
库存编号:522-ZXMP7A17GTA
Diodes Incorporated MOSFETs P-Ch 70V 3.7A3703
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ZXMP7A17GTA
库存编号:ZXMP7A17GTA
Diodes Incorporated Trans MOSFET P-CH 70V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMP7A17GTA)0
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操作
ZXMP7A17GTA
库存编号:ZXMP7A17GTA
Diodes Incorporated Transistor: P-MOSFET, unipolar, -70V, -2.6A, Idm: -9.6A, 2W, SOT2231164
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ZXMP7A17GTA
库存编号:7082478P
Zetex / Diodes Inc MOSFETP70V3.7ASOT223, RL7300
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ZXMP7A17GTA
库存编号:1220598
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ZXMP7A17GTA
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Zetex / Diodes Inc MOSFETP70V3.7ASOT223, PK30
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ZXMP7A17GTA产品详细信息

P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc

ZXMP7A17GTA产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.7mm  
  尺寸  6.7 x 3.7 x 1.8mm  
  典型关断延迟时间  27.9 ns  
  典型接通延迟时间  2.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  635 pF @ -40 V  
  典型栅极电荷@Vgs  18 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  3.9 W  
  最大连续漏极电流  3.7 A  
  最大漏源电压  70 V  
  最大漏源电阻值  250 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.7mm  DiodesZetex 长度 6.7mm  MOSFET 晶体管 长度 6.7mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.7mm   尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm  DiodesZetex 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm   典型关断延迟时间 27.9 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 27.9 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27.9 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27.9 ns   典型接通延迟时间 2.5 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 2.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.5 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.5 ns   典型输入电容值@Vds 635 pF @ -40 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 635 pF @ -40 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 635 pF @ -40 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 635 pF @ -40 V   典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V   封装类型 SOT-223  DiodesZetex 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.8mm  DiodesZetex 高度 1.8mm  MOSFET 晶体管 高度 1.8mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.8mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.7mm  DiodesZetex 宽度 3.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm   类别 功率 MOSFET  DiodesZetex 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  DiodesZetex 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3+Tab  DiodesZetex 引脚数目 3+Tab  MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab   最大功率耗散 3.9 W  DiodesZetex 最大功率耗散 3.9 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3.9 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3.9 W   最大连续漏极电流 3.7 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 3.7 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.7 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.7 A   最大漏源电压 70 V  DiodesZetex 最大漏源电压 70 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 70 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 70 V   最大漏源电阻值 250 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 250 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 250 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 250 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  DiodesZetex 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
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ZXMP7A17GTA
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Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223

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MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223

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ZXMP7A17GTA
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Diodes Incorporated

MOSFET P-Ch 70V 3.7A

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET P-CH 70V 3.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET P-CH 70V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R (Alt: ZXMP7A17GTA)

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Trans MOSFET P-CH 70V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMP7A17GTA)

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Diodes Incorporated

Trans MOSFET P-CH 70V 3.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Zetex / Diodes Inc

Trans MOSFET P-CH 70V 3.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Zetex / Diodes Inc

Trans MOSFET P-CH 70V 3.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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ZXMP7A17GTA
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P-Channel 70 V 0.16 Ohm Power MOSFET Surface Mount - SOT-223-3

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Diodes Incorporated

P-Channel 70 V 0.16 Ohm Power MOSFET Surface Mount - SOT-223-3

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MOSFET P-Channel 70V 3.7A SOT223

RoHS: Compliant

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ZXMP7A17GTA
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Diodes Incorporated

3.7 A, 70 V, 0.16 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA

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Diodes Incorporated - ZXMP7A17GTA - MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223

详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 2W(Ta) SOT-223

型号:ZXMP7A17GTA
仓库库存编号:ZXMP7A17GCT-ND
别名:ZXMP7A17GCT <br>

无铅
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

DiodesZetex - ZXMP7A17GTA - DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17GTA, 3.7 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
ZXMP7A17GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2478
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ZXMP7A17GTA|Diodes IncZXMP7A17GTA
Diodes Inc
MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
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Diodes Inc - ZXMP7A17GTA - MOSFET P-Channel 70V 3.7A SOT223|70438872 | ChuangWei Electronics
Diodes Inc
MOSFET P-Channel 70V 3.7A SOT223


型号:ZXMP7A17GTA
仓库库存编号:70438872

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ZXMP7A17GTA|Diodes IncZXMP7A17GTA
Diodes Inc
MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
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无图ZXMP7A17GTA
Diodes Inc. / Zetex
MOSFET P-Ch 70V 3.7A
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ZXMP7A17GTA|Diodes/ZetexZXMP7A17GTA
Diodes/Zetex
MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
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