IRFU4620PBF,688-7153,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4620PBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4620PBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装

制造商零件编号：
IRFU4620PBF
库存编号：
688-7153
Infineon IRFU4620PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFU4620PBF
库存编号:IRFU4620PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 200V 24A IPAK0
起订		6-10天询价 询价
查看资料

IRFU4620PBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFU4620PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  25.4 ns  
  典型接通延迟时间  13.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  1710 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25 nC @ 10 V  
  封装类型  IPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  144 W  
  最大连续漏极电流  24 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  78 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
关键词         

IRFU4620PBF配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

IRFU4620PBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 6.73mm  Infineon 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Infineon 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 25.4 ns  Infineon 典型关断延迟时间 25.4 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25.4 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25.4 ns   典型接通延迟时间 13.4 ns  Infineon 典型接通延迟时间 13.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13.4 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13.4 ns   典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 50 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 50 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V   封装类型 IPAK  Infineon 封装类型 IPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 IPAK  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 IPAK   高度 2.39mm  Infineon 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Infineon 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 144 W  Infineon 最大功率耗散 144 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 144 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 144 W   最大连续漏极电流 24 A  Infineon 最大连续漏极电流 24 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 24 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 24 A   最大漏源电压 200 V  Infineon 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 78 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 78 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 78 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 78 mΩ   最大栅阈值电压 5V  Infineon 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 3V  Infineon 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
参考价格及参考库存
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IRFU4620PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC

RoHS: Compliant

搜索
  日本3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IRFU4620PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Infineon Technologies - IRFU4620PBF - MOSFET N-CH 200V 24A IPAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）

型号：IRFU4620PBF
仓库库存编号：IRFU4620PBF-ND
别名：SP001573610 <br>

无铅		搜索
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRFU4620PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4620PBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
制造商零件编号：
IRFU4620PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
688-7153
搜索
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFU4620PBF|International RectifierIRFU4620PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
Rohs

暂无PDF 		查价格库存
查看详细
  日本5号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

IR - IRFU4620PBF - MOSFET N, 200 V 24 A 144 W IPAK, IRFU4620PBF, IR		IR
MOSFET N, 200 V 24 A 144 W IPAK, IRFU4620PBF, IR

型号：IRFU4620PBF
仓库库存编号：171-02-362

搜索
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFU4620PBF|International RectifierIRFU4620PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
Rohs

暂无PDF 		查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IRFU 4620PBF
International Rectifier		原厂原装货
暂无PDF 		查价格库存
查看详细
IRFU4620PBF|International RectifierIRFU4620PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
Rohs

暂无PDF 		查价格库存
查看详细
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFU4620PBF产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示