IRFB4620PBF,688-6960,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4620PBF, 25 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4620PBF, 25 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRFB4620PBF
库存编号：
688-6960
Infineon IRFB4620PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRFB4620PBF
库存编号:IRFB4620PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB1279
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100+
500+
1000+
2000+
5000+
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￥31.65
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IRFB4620PBFXKMA1
库存编号:448-IRFB4620PBFXKMA1-ND		 Infineon Technologies AG TRENCH >=100V0
1000起订		1000+
￥11.85
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFB4620PBF
库存编号:942-IRFB4620PBF		 Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg180
1起订		1+
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100+
500+
1000+
2000+
5000+
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IRFB4620PBFXKMA1
库存编号:726-IRFB4620PBFXKMA1		 Infineon Technologies AG MOSFETs TRENCH >=100V0
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6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRFB4620PBF
库存编号:IRFB4620PBF		 Infineon Technologies AG Semiconductors610
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFB4620PBF
库存编号:45P3444		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: 45P3444)0
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1-2周询价 询价
IRFB4620PBF
库存编号:IRFB4620PBF		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRFB4620PBF)0
1000起订		1000+
1200+
2200+
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1-2周询价 询价
IRFB4620PBFXKMA1
库存编号:IRFB4620PBFXKMA1		 Infineon Technologies AG Power MOSFET, N Channel, 200 V, 25 A, 72.5 Milliohms, TO-220AB, 3 Pins, Through Hole - Rail/Tube (Alt: IRFB4620PBFXKMA1)0
1000起订		1000+
1100+
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5000+
10000+
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￥10.88
￥10.82
￥10.77
￥10.71
1-2周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFB4620PBF
库存编号:68492534		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube200000
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IRFB4620PBF
库存编号:85996209		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube4480
349起订		349+
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IRFB4620PBF
库存编号:87776009		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube3000
6起订		6+
￥22.44
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IRFB4620PBF
库存编号:69842058		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube610
29起订		29+
￥14.76
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IRFB4620PBF
库存编号:68403680		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube258
8起订		8+
10+
100+
500+
1000+
￥18.53
￥13.44
￥12.89
￥11.49
￥10.92
1-2周购买 购买
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  新加坡3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFB4620PBF
库存编号:1688597		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 200V, TO-220AB583
1起订		1+
10+
100+
500+
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  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFB4620PBF
库存编号:IRFB4620PBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 25A, 144W, TO220AB468
1起订		1+
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￥36.6
￥33.45
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFB4620PBF
库存编号:2579353		 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET IRFB4620PBF, PK894
2起订		2+
10+
20+
100+
500+
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￥23.31
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IRFB4620PBF
库存编号:2579352		 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET IRFB4620PBF, TU894
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￥17
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￥15.51
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IRFB4620PBF
库存编号:2579353P		 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET IRFB4620PBF, TU894
10起订		10+
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IRFB4620PBF产品详细信息

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon

电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。

IRFB4620PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 9.02mm  
  典型关断延迟时间  25.4 ns  
  典型接通延迟时间  13.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  1710 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.02mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  144 W  
  最大连续漏极电流  25 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  73 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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IRFB4620PBF配套附件

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IRFB4620PBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm  Infineon 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm   典型关断延迟时间 25.4 ns  Infineon 典型关断延迟时间 25.4 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25.4 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25.4 ns   典型接通延迟时间 13.4 ns  Infineon 典型接通延迟时间 13.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13.4 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13.4 ns   典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 50 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 50 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 9.02mm  Infineon 高度 9.02mm  MOSFET 晶体管 高度 9.02mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 9.02mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Infineon 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 144 W  Infineon 最大功率耗散 144 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 144 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 144 W   最大连续漏极电流 25 A  Infineon 最大连续漏极电流 25 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 25 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 25 A   最大漏源电压 200 V  Infineon 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 73 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 73 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 73 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 73 mΩ   最大栅阈值电压 5V  Infineon 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 3V  Infineon 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
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型号 制造商 描述 操作
IRFB4620PBF
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MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRFB4620PBF
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MOSFET MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFB4620PBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRFB4620PBF)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB4620PBF)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB4620PBF)

RoHS: Compliant

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MOSFET, N-CH, 200V, TO-220AB

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Single N-Channel 200 V 72.5 mOhm 38 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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IRFB4620PBF N-channel MOSFET Transistor, 25 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 25A, 144W, TO220AB, HEXFET?

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Infineon - IRFB4620PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4620PBF, 25 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRFB4620PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
688-6960
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Infineon Technologies - IRFB4620PBF - MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB

型号：IRFB4620PBF
仓库库存编号：IRFB4620PBF-ND
别名：SP001563998 <br>

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IRFB4620PBF|International RectifierIRFB4620PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
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IRFB4620PBF
INFINEON IRFB4620PBF		1688597

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 200 V, 60 mohm, 10 V, 3 V

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IR - IRFB4620PBF - MOSFET N, 200 V 25 A 144 W TO-220, IRFB4620PBF, IR		IR
MOSFET N, 200 V 25 A 144 W TO-220, IRFB4620PBF, IR

型号：IRFB4620PBF
仓库库存编号：171-02-379

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IRFB4620PBF产品技术参数资料

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