STD3NK90ZT4,687-5099,STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NK90ZT4, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NK90ZT4, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
STD3NK90ZT4
库存编号：
687-5099
STMicroelectronics STD3NK90ZT4
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STD3NK90ZT4
库存编号:497-12785-1-ND		 STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 3A DPAK3603
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STD3NK90ZT4
库存编号:497-12785-6-ND		 STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 3A DPAK3603
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STD3NK90ZT4
库存编号:497-12785-2-ND		 STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 3A DPAK2500
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STD3NK90ZT4
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STD3NK90ZT4
库存编号:STD3NK90ZT4		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: STD3NK90ZT4)37500
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STD3NK90ZT4
库存编号:87861998		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R0
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STD3NK90ZT4
库存编号:87007650		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R0
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STD3NK90ZT4
库存编号:1752038RL		 STMicroelectronics , MOSFET, N, 900V 3A DPAK7167
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STD3NK90ZT4
库存编号:1752038		 STMicroelectronics , MOSFET, N, 900V 3A DPAK7167
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STD3NK90ZT4
库存编号:STD3NK90ZT4		 STMicroelectronics Transistor: N-MOSFET, unipolar, 900V, 3A, 12W, DPAK7820
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STD3NK90ZT4
库存编号:6875099P		 STMicroelectronics MOSFET N-ch 3A 900V SuperMESH DPAK, RL2250
5起订		5+
￥28.47
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STD3NK90ZT4
库存编号:9208868		 STMicroelectronics MOSFET N-Channel 900V 3A SuperMESH DPAK, RL2250
2500起订		2500+
12500+
￥10.71
￥9.64
1-3周询价 询价
STD3NK90ZT4
库存编号:6875099		 STMicroelectronics MOSFET N-ch 3A 900V SuperMESH DPAK, PK20
5起订		5+
￥28.47
1-3周购买 购买
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STD3NK90ZT4产品详细信息

N 通道 MDmesh? SuperMESH?，700V 至 1200V，STMicroelectronics

STD3NK90ZT4产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  18 ns  
  典型输入电容值@Vds  590 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  22.7 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh, SuperMESH  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  90 W  
  最大连续漏极电流  3 A  
  最大漏源电压  900 V  
  最大漏源电阻值  4.8 Ω  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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STD3NK90ZT4相关搜索

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.6mm  STMicroelectronics 长度 6.6mm  MOSFET 晶体管 长度 6.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 6.6mm   尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  STMicroelectronics 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm   典型关断延迟时间 45 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns   典型接通延迟时间 18 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 18 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns   典型输入电容值@Vds 590 pF@ 25 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 590 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 590 pF@ 25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 590 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 22.7 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 22.7 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22.7 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22.7 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  STMicroelectronics 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.4mm  STMicroelectronics 高度 2.4mm  MOSFET 晶体管 高度 2.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 2.4mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.2mm  STMicroelectronics 宽度 6.2mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 MDmesh, SuperMESH  STMicroelectronics 系列 MDmesh, SuperMESH  MOSFET 晶体管 系列 MDmesh, SuperMESH  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh, SuperMESH   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 90 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 90 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 90 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 90 W   最大连续漏极电流 3 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3 A   最大漏源电压 900 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 900 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 900 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 900 V   最大漏源电阻值 4.8 Ω  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 4.8 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.8 Ω  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.8 Ω   最大栅阈值电压 4.5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 4.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V   最大栅源电压 ±30 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
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MOSFET N-CH 900V 3A DPAK

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MOSFET N-Ch 900 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH

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STMicroelectronics - STD3NK90ZT4 - STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NK90ZT4, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
STD3NK90ZT4
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
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STMicroelectronics - STD3NK90ZT4 - STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK90ZT4, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
STD3NK90ZT4
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
920-8868
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STMicroelectronics - STD3NK90ZT4 - MOSFET N-CH 900V 3A DPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 90W（Tc） DPAK

型号：STD3NK90ZT4
仓库库存编号：497-12785-1-ND
别名：497-12785-1 <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
STD3NK90ZT4
STMICROELECTRONICS STD3NK90ZT4		1752038

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 900 V, 4.1 ohm, 10 V, 3.75 V

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STMICROELECTRONICS STD3NK90ZT4		1752038RL

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 900 V, 4.1 ohm, 10 V, 3.75 V

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STD3NK90ZT4产品技术参数资料

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