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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.5 x 0.9mm
典型关断延迟时间	88 ns
典型接通延迟时间	43 ns
典型输入电容值@Vds	1110 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	25 nC @ 10 V
封装类型	TSOP
高度	0.9mm
晶体管配置	单
宽度	1.5mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	HEXFET
引脚数目	6
最大功率耗散	1300 mW
最大连续漏极电流	3.4 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	112 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• IRF5803PbF HEXFET Power MOSFET Data Sheet