IRFD9120PBF,541-0553,Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装 ,Vishay
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装

制造商零件编号：
IRFD9120PBF
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
541-0553
Vishay IRFD9120PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IRFD9120PBF产品详细信息

P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor

IRFD9120PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 6.29 x 3.37mm  
  典型关断延迟时间  21 ns  
  典型接通延迟时间  9.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  390 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  18 nC @ 10 V  
  封装类型  HVMDIP  
  高度  3.37mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.29mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  1.3 W  
  最大连续漏极电流  1 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  600 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 5mm  Vishay 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  Vishay 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm   典型关断延迟时间 21 ns  Vishay 典型关断延迟时间 21 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns   典型接通延迟时间 9.6 ns  Vishay 典型接通延迟时间 9.6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.6 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.6 ns   典型输入电容值@Vds 390 pF @ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 390 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 390 pF @ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 390 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V   封装类型 HVMDIP  Vishay 封装类型 HVMDIP  MOSFET 晶体管 封装类型 HVMDIP  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 HVMDIP   高度 3.37mm  Vishay 高度 3.37mm  MOSFET 晶体管 高度 3.37mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 3.37mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.29mm  Vishay 宽度 6.29mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.29mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.29mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  Vishay 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 1.3 W  Vishay 最大功率耗散 1.3 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W   最大连续漏极电流 1 A  Vishay 最大连续漏极电流 1 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1 A   最大漏源电压 100 V  Vishay 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 600 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 600 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 600 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 600 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Vishay 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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型号 制造商 描述 操作
IRFD9120PBF
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFD9120PBF
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MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp

RoHS: Compliant

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IRFD9120
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MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp

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Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

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Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRFD9120PBF)

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IRFD9120PBF
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Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

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MOSFET, P, DIL

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IRFD9120PBF
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Single P-Channel 100 V 0.6 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFD9120PBF
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MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP

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IRFD9120PBF
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MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -100V, RDS(ON) 0.6Ohm, ID -1A, HD-1, PD 1.3W, VGS +/-20V, -55d

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IRFD9120PBF
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MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRFD9120PBF
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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: HEXDIP Polarity: P Power dissipation: 1.3 W

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IRFD9120PBF
[更多]		 International Rectifier

MOSFET Transistor, P-Channel, TO-250VAR

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IRFD9120PBF
[更多]		 SILI

MOSFET Transistor, P-Channel, TO-250VAR

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Vishay Siliconix - IRFD9120PBF - MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

型号：IRFD9120PBF
仓库库存编号：IRFD9120PBF-ND
别名：*IRFD9120PBF <br>

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IRFD9120PBF.
VISHAY IRFD9120PBF.		9103244

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V

 (EN)		搜索
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRFD9120PBF - Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
制造商零件编号：
IRFD9120PBF
品牌：
Vishay
库存编号：
541-0553
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Vishay PCS - IRFD9120PBF - -55d VGS +/-20V PD 1.3W HD-1 ID -1A RDS(ON) 0.6Ohm VDSS -100V P-Ch MOSFET, Power|70078900 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDS(ON) 0.6Ohm; ID -1A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V; -55d

型号：IRFD9120PBF
仓库库存编号：70078900

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Siliconix / Vishay - IRFD9120PBF - MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP|70459451 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP

型号：IRFD9120PBF
仓库库存编号：70459451

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IRFD9120PBF|VISHAYIRFD9120PBF
VISHAY		单 P 沟道 100 V 0.6 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
Rohs

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无图IRFD9120PBF
VISHAY		单 P 沟道 100 V 0.6 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
Rohs

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IRFD9120PBF|Vishay SemiconductorsIRFD9120PBF
Vishay Semiconductors		MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp
Rohs

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IRFD9120PBF|Vishay SiliconixIRFD9120PBF
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
Rohs

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IRFD9120PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFD9120PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET P DIL
Rohs

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IRFD9120PBF|Vishay SiliconixIRFD9120PBF
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
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Vishay - IRFD9120PBF - MOSFET P, -100 V -1 A 1.3 W HEXDIP, IRFD9120PBF, Vishay		Vishay
MOSFET P, -100 V -1 A 1.3 W HEXDIP, IRFD9120PBF, Vishay

型号：IRFD9120PBF
仓库库存编号：171-07-451

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IRFD9120PBF产品技术参数资料

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