IRFL9110PBF,541-0367,Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110PBF, 1.1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,Vishay
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110PBF, 1.1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号：
IRFL9110PBF
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
541-0367
Vishay IRFL9110PBF
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRFL9110TRPBF
库存编号:IRFL9110PBFDKR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT22330753
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IRFL9110TRPBF
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IRFL9110TRPBF
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IRFL9110PBF
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2500起订		2500+
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IRFL9110PBF
库存编号:IRFL9110PBF		 Vishay Intertechnologies MOSFET P-CHANNEL 100V - Bulk (Alt: IRFL9110PBF)0
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IRFL9110TRPBF
库存编号:IRFL9110TRPBF		Vishay IntertechnologiesMOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp5000
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IRFL9110PBF Vishay Siliconix TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,1.1A I(D),TO-261AA120
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IRFL9110PBF International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,1.1A I(D),TO-261AA32
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IRFL9110PBF Vishay Siliconix TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,1.1A I(D),TO-261AA4
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IRFL9110PBF产品详细信息

P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor

IRFL9110PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.7mm  
  尺寸  6.7 x 3.7 x 1.45mm  
  典型关断延迟时间  15 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  200 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  8.7 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.45mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  1.1 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  1.2 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRFL9110PBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.7mm  Vishay 长度 6.7mm  MOSFET 晶体管 长度 6.7mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.7mm   尺寸 6.7 x 3.7 x 1.45mm  Vishay 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.45mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.45mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.45mm   典型关断延迟时间 15 ns  Vishay 典型关断延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns   典型接通延迟时间 10 ns  Vishay 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 200 pF@ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 200 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 200 pF@ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 200 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V   封装类型 SOT-223  Vishay 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.45mm  Vishay 高度 1.45mm  MOSFET 晶体管 高度 1.45mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.45mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.7mm  Vishay 宽度 3.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3+Tab  Vishay 引脚数目 3+Tab  MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab   最大功率耗散 2 W  Vishay 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 1.1 A  Vishay 最大连续漏极电流 1.1 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.1 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.1 A   最大漏源电压 100 V  Vishay 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 1.2 Ω  Vishay 最大漏源电阻值 1.2 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 Ω  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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IRFL9110TRPBF
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MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFL9110TRPBF
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

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IRFL9110TRPBF
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MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

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IRFL9110PBF
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MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

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MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp

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IRFL9110
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MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp

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Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223

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Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 - Bulk (Alt: IRFL9110PBF)

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Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223

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Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223

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MOSFET, P, -100V, -1.1A, SOT-223

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IRFL9110PBF
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MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -100V, RDS(ON) 1.2 Ohms, ID -1.1A, SOT-223, PD 3.1W, VGS +/-2

RoHS: Compliant

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IRFL9110PBF
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IRFL9110PBF P-channel MOSFET Transistor, 1.1 A, 100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

RoHS: Compliant

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IRFL9110PBF
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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: P Power dissipation: 2 W

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IRFL9110PBF
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MOSFET Transistor, P-Channel, TO-261AA

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IRFL9110PBF|Vishay SiliconixIRFL9110PBF
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Rohs

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无图IRFL 9110PBF
Vishay BC Components		原厂原装货
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IRFL9110PBF|VISHAYIRFL9110PBF
VISHAY		单 P 沟道 100 V 1.2 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-223
Rohs

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无图IRFL9110PBF.
VISHAY SILICONIX		原厂原装货
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFL9110PBF..
VISHAY IRFL9110PBF..		8649219

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

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IRFL9110PBF
VISHAY IRFL9110PBF		2101418

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.1 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRFL9110PBF - Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110PBF, 1.1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
制造商零件编号：
IRFL9110PBF
品牌：
Vishay
库存编号：
541-0367
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无图IRFL9110PBF
VISHAY		单 P 沟道 100 V 1.2 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-223
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IRFL9110PBF|VISHAY SILICONIXIRFL9110PBF
VISHAY SILICONIX		场效应管 MOSFET P沟道 -100V 1.1A SOT-223
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IRFL9110PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFL9110PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET P SOT-223 -100V -1.1A
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Siliconix / Vishay - IRFL9110PBF - 3 + Tab-Pin SOT-223 100 V 1.1 A IRFL9110PBF P-channel MOSFET Transistor|70459459 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
IRFL9110PBF P-channel MOSFET Transistor, 1.1 A, 100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

型号：IRFL9110PBF
仓库库存编号：70459459

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Vishay PCS - IRFL9110PBF - VGS +/-2 PD 3.1W SOT-223 ID -1.1A RDS(ON) 1.2 Ohms VDSS -100V P-Ch MOSFET, Power|70079030 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDS(ON) 1.2 Ohms; ID -1.1A; SOT-223; PD 3.1W; VGS +/-2

型号：IRFL9110PBF
仓库库存编号：70079030

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Vishay PCS - IRFL9110PBF - VGS +/-2 PD 3.1W SOT-223 ID -1.1A RDS(ON) 1.2 Ohms VDSS -100V P-Ch MOSFET, Power|70079030 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDS(ON) 1.2 Ohms; ID -1.1A; SOT-223; PD 3.1W; VGS +/-2

型号：IRFL9110PBF
仓库库存编号：70079030

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Vishay - IRFL9110PBF - MOSFET P, -100 V -1.1 A 2 W SOT-223, IRFL9110PBF, Vishay		Vishay
MOSFET P, -100 V -1.1 A 2 W SOT-223, IRFL9110PBF, Vishay

型号：IRFL9110PBF
仓库库存编号：171-15-216

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Vishay - IRFL9110PBF - MOSFET P, -100 V -1.1 A 2 W SOT-223, IRFL9110PBF, Vishay		Vishay
MOSFET P, -100 V -1.1 A 2 W SOT-223, IRFL9110PBF, Vishay

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仓库库存编号：171-15-216

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IRFL9110PBF产品技术参数资料

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