IRFR220PBF,540-9597,Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220PBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220PBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
IRFR220PBF
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
540-9597
Vishay IRFR220PBF
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IRFR220PBF产品详细信息

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor

IRFR220PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  19 ns  
  典型接通延迟时间  7.2 ns  
  典型输入电容值@Vds  260 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  14 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  4.8 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  800 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Vishay 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Vishay 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 19 ns  Vishay 典型关断延迟时间 19 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns   典型接通延迟时间 7.2 ns  Vishay 典型接通延迟时间 7.2 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.2 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.2 ns   典型输入电容值@Vds 260 pF@ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 260 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 260 pF@ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 260 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  Vishay 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.39mm  Vishay 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Vishay 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 2.5 W  Vishay 最大功率耗散 2.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W   最大连续漏极电流 4.8 A  Vishay 最大连续漏极电流 4.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.8 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.8 A   最大漏源电压 200 V  Vishay 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 800 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 800 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 800 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 800 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IRFR220PBF
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFR220TRPBF
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MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

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MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

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MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp

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Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Bulk (Alt: IRFR220PBF)

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Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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MOSFET, N, 200V, 4.8A, D-PAK

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Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFR220PBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.8Ohm, ID 4.8A, TO-252AA, PD 42W, VGS +/-20V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFR220PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRFR220PBF
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4.8A, 200V, 0.8OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-252AA

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IRFR220PBF
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4.8A, 200V, 0.8OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-252AA

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IRFR220PBF
[更多]		 International Rectifier

4.8A, 200V, 0.8OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-252AA

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFR220PBF|VISHAYIRFR220PBF
VISHAY		单 N 沟道 200 V 0.8 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
Rohs

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IRFR220PBF|Vishay SiliconixIRFR220PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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IRFR220PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFR220PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N D-PAK 200V 4.8A
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Vishay - IRFR220PBF - Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220PBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
IRFR220PBF
品牌：
Vishay
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IRFR220PBF|VISHAYIRFR220PBF
VISHAY		单 N 沟道 200 V 0.8 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
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IRFR220PBF|Vishay SiliconixIRFR220PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFR220PBF
VISHAY IRFR220PBF		8649707

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V

 (EN)		搜索
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Vishay PCS - IRFR220PBF - VGS +/-20V PD 42W TO-252AA ID 4.8A RDS(ON) 0.8Ohm VDSS 200V N-Ch MOSFET, Power|70078960 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.8Ohm; ID 4.8A; TO-252AA; PD 42W; VGS +/-20V

型号：IRFR220PBF
仓库库存编号：70078960

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Vishay PCS - IRFR220PBF - VGS +/-20V PD 42W TO-252AA ID 4.8A RDS(ON) 0.8Ohm VDSS 200V N-Ch MOSFET, Power|70078960 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.8Ohm; ID 4.8A; TO-252AA; PD 42W; VGS +/-20V

型号：IRFR220PBF
仓库库存编号：70078960

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QQ:800152669

IRFR220PBF产品技术参数资料

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