Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF8707PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRF8707PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V SINGLE N-CH 11.9mOhms 6.2nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF8707PBF [更多] | International Rectifier |
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IRF8707PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W
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| 制造商零件编号: IRF8707PBF 品牌: Infineon 库存编号: 495-871 | 搜索 |
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制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF8707PBF![]() | 2565778 | INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC | 搜索 |
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![]() | IR MOSFET N, 30 V 9.1 A 2.5 W SO-8, IRF8707PBF, IR 型号:IRF8707PBF 仓库库存编号:171-37-987 | 搜索 |