IRF7726PBF,301-805,Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7726PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7726PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装

制造商零件编号：
IRF7726PBF
库存编号：
301-805
Infineon IRF7726PBF
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7726
库存编号:IRF7726-ND		Infineon Technologies AGMOSFET P-CH 30V 7A MICRO80
960起订		960+
￥10.24
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IRF7726TR
库存编号:IRF7726TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET P-CH 30V 7A MICRO80
4000起订		4000+
￥8.96
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IRF7726TRPBF
库存编号:IRF7726TRPBFCT-ND		Infineon Technologies AGMOSFET P-CH 30V 7A MICRO80
4000起订		6-10天询价 询价
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IRF7726TRPBF
库存编号:IRF7726TRPBFDKR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET P-CH 30V 7A MICRO80
4000起订		6-10天询价 询价
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IRF7726TRPBF
库存编号:IRF7726TRPBFTR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET P-CH 30V 7A MICRO80
4000起订		6-10天询价 询价
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IRF7726TRPBFXTMA1
库存编号:448-IRF7726TRPBFXTMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET P-CH 30V 7A MICRO80
4000起订		6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRF7726TRPBF
库存编号:2577157RL		Infineon Technologies AG, MOSFET, N, 25V, 49A, PQFN-80
500起订		500+
1000+
5000+
￥4.89
￥4.28
￥4.04
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IRF7726TRPBF
库存编号:2577157		Infineon Technologies AG, MOSFET, N, 25V, 49A, PQFN-80
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
5000+
￥10.15
￥7.46
￥5.87
￥4.89
￥4.28
￥4.04
1-2周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF7726TRPBF
库存编号:IRF7726TRPBF		Infineon Technologies AGTransistor: P-MOSFET, unipolar, -30V, -7A, 1.79W, SO80
4000起订		4000+
￥3.14
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF7726TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 7A MICRO8596
1起订		1+
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463+
￥15.85
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1-3周购买 购买
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1-3周购买 购买
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IRF7726PBF产品详细信息

P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF7726PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 3 x 0.86mm  
  典型关断延迟时间  227 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  2204 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  46 nC @ 10 V  
  封装类型  MSOP  
  高度  0.86mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1790 mW  
  最大连续漏极电流  7 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  26 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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IRF7726PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET MICRO-8

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Infineon - IRF7726PBF - Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7726PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
制造商零件编号：
IRF7726PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
301-805
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无图IRF7726PBF
International Rectifier		MOSFET，P沟道，30V，7A，MSOP8
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QQ:800152669

IRF7726PBF产品技术参数资料

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