IRF5801TRPBF,301-631,Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装

制造商零件编号：
IRF5801TRPBF
库存编号：
301-631
Infineon IRF5801TRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF5801TRPBF
库存编号:IRF5801TRPBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO67736
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IRF5801TRPBF
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IRF5801TRPBF
库存编号:IRF5801TRPBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO66000
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF5801TRPBF
库存编号:942-IRF5801TRPBF		 Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC28940
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IRF5801TRPBF
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IRF5801TRPBF
库存编号:IRF5801TRPBF		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: IRF5801TRPBF)0
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IRF5801TRPBF
库存编号:69264307		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R22530
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IRF5801TRPBF
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IRF5801TRPBF
库存编号:85995521		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R6000
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IRF5801TRPBF
库存编号:7955219		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R3000
3000起订		3000+
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IRF5801TRPBF
库存编号:68775935		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R487
62起订		62+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF5801TRPBF
库存编号:1298504RL		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N 200V TSOP-64469
100起订		100+
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IRF5801TRPBF
库存编号:1298504		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N 200V TSOP-64469
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  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF5801TRPBF
库存编号:IRF5801TRPBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 0.6A, 2W, TSOP63054
1起订		1+
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￥6.02
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  英国11号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF5801TRPBF
库存编号:301631P		 Infineon Technologies AG MOSFET N-Channel 200V 0.6A TSOP6, RL14110
750起订		750+
1500+
￥4.66
￥4.52
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IRF5801TRPBF
库存编号:301631		 Infineon Technologies AG MOSFET N-Channel 200V 0.6A TSOP6, PK14110
10起订		10+
750+
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￥4.8
￥4.66
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1-3周购买 购买
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IRF5801TRPBF
库存编号:9194725		 Infineon Technologies AG MOSFET N-Channel 200V 0.6A TSOP6, RL14110
3000起订		3000+
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￥1.83
￥1.79
1-3周购买 购买
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IRF5801TRPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF5801TRPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.5 x 0.9mm  
  典型关断延迟时间  8.8 ns  
  典型接通延迟时间  6.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  88 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  3.9 nC @ 10 V  
  封装类型  TSOP  
  高度  0.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  2000 mW  
  最大连续漏极电流  600 mA  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  2.2 Ω  
  最大栅阈值电压  5.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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IRF5801TRPBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Infineon 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.5 x 0.9mm  Infineon 尺寸 3 x 1.5 x 0.9mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.5 x 0.9mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.5 x 0.9mm   典型关断延迟时间 8.8 ns  Infineon 典型关断延迟时间 8.8 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8.8 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8.8 ns   典型接通延迟时间 6.5 ns  Infineon 典型接通延迟时间 6.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.5 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.5 ns   典型输入电容值@Vds 88 pF@ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 88 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 88 pF@ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 88 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 3.9 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 3.9 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.9 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.9 nC @ 10 V   封装类型 TSOP  Infineon 封装类型 TSOP  MOSFET 晶体管 封装类型 TSOP  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TSOP   高度 0.9mm  Infineon 高度 0.9mm  MOSFET 晶体管 高度 0.9mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 0.9mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.5mm  Infineon 宽度 1.5mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.5mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 6  Infineon 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 2000 mW  Infineon 最大功率耗散 2000 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2000 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2000 mW   最大连续漏极电流 600 mA  Infineon 最大连续漏极电流 600 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 600 mA  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 600 mA   最大漏源电压 200 V  Infineon 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 2.2 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 2.2 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.2 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.2 Ω   最大栅阈值电压 5.5V  Infineon 最大栅阈值电压 5.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5.5V   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Infineon 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
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IRF5801TRPBF
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MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

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Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R (Alt: IRF5801TRPBF)

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Single N-Channel 200 V 2.2 Ohm 3.9 nC HEXFET? Power Mosfet - SC-74

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF5801TRPBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 0.6A, 2W, TSOP6, HEXFET?

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Infineon Technologies - IRF5801TRPBF - MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）

型号：IRF5801TRPBF
仓库库存编号：IRF5801TRPBFCT-ND
别名：IRF5801TRPBFCT <br>

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IRF5801TRPBF|International RectifierIRF5801TRPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
Rohs

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Infineon - IRF5801TRPBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装
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IRF5801TRPBF
品牌：
Infineon
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Infineon - IRF5801TRPBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装
制造商零件编号：
IRF5801TRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
919-4725
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IRF5801TRPBF
INFINEON IRF5801TRPBF		1298504

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2.2 ohm, 10 V, 5.5 V

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INFINEON IRF5801TRPBF		1298504RL

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晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2.2 ohm, 10 V, 5.5 V

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IRF5801TRPBF产品技术参数资料

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