IRF7526D1TRPBF,301-546,Infineon FETKY 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7526D1TRPBF, 2 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装 ,Infineon
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Infineon FETKY 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7526D1TRPBF, 2 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装

制造商零件编号：
IRF7526D1TRPBF
库存编号：
301-546
Infineon IRF7526D1TRPBF
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7526D1TRPBF
库存编号:IRF7526D1TRPBFCT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 30V 2A MICRO80
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IRF7526D1TRPBF
库存编号:IRF7526D1TRPBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 30V 2A MICRO80
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IRF7526D1TRPBF
库存编号:IRF7526D1TRPBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 30V 2A MICRO80
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IRF7526D1TRPBF产品详细信息

FETKY? IRF73xx / IRF74xx / IRF75xx / IRF78xx，Infineon

HEXFET 与肖特基二极管于同一个封装内
适用于同步调节器应用
低 VF 肖特基整流器
显著节省板空间
缩短设计时间，削减装配成本和库存成本

IRF7526D1TRPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 3 x 0.86mm  
  典型关断延迟时间  19 ns  
  典型接通延迟时间  9.7 ns  
  典型输入电容值@Vds  180 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  7.5 nC @ 10 V  
  封装类型  MSOP  
  高度  0.86mm  
  宽度  3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  FETKY  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1250 mW  
  最大连续漏极电流  2 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  200 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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IRF7526D1TRPBF相关搜索

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型号 制造商 描述 操作
IRF7526D1TRPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2A 200mOhm 7.5nC

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRF7526D1TRPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IRF7526D1TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 2 A, 30 V, 8-Pin MSOP

RoHS: Compliant

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Infineon Technologies - IRF7526D1TRPBF - MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?

型号：IRF7526D1TRPBF
仓库库存编号：IRF7526D1TRPBFCT-ND
别名：IRF7526D1TRPBFCT <br>

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Infineon - IRF7526D1TRPBF - Infineon FETKY 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7526D1TRPBF, 2 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
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Infineon
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IRF7526D1TRPBF|International RectifierIRF7526D1TRPBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
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IRF7526D1TRPBF产品技术参数资料

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