IRLD110PBF,301-338,Vishay N沟道 Si MOSFET IRLD110PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装 ,Vishay
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRLD110PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装

制造商零件编号:
IRLD110PBF
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
301-338
Vishay IRLD110PBF
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IRLD110PBF
库存编号:IRLD110PBF-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP0
1起订
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100+
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IRLD110PBF
库存编号:87777615
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP1181
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IRLD110PBF
库存编号:1013423
Vishay Intertechnologies , MOSFET N, HEXDIP0
1起订
1+
10+
100+
500+
1000+
5000+
¥21.02
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¥9.17
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IRLD110PBF
库存编号:IRLD110PBF
Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 0.7A, 1.3W, DIP42467
1起订
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100+
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IRLD110PBF Vishay Intertechnologies 1 MA, 100 V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET28
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLD110PBF
库存编号:1780913
Vishay Intertechnologies MOSFET N-Channel 100V 1A HVMDIP4, TU35
100起订
100+
500+
¥11.61
¥10.45
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IRLD110PBF
库存编号:301338P
Vishay Intertechnologies MOSFET N-Channel 100V 1A HVMDIP4, TU35
25起订
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50+
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¥17.01
1-3周购买 购买
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库存编号:301338
Vishay Intertechnologies MOSFET N-Channel 100V 1A HVMDIP4, PK20
5起订
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¥17.53
¥17.01
1-3周购买 购买
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IRLD110PBF产品详细信息

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor

IRLD110PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 6.29 x 3.37mm  
  典型关断延迟时间  16 ns  
  典型接通延迟时间  9.3 ns  
  典型输入电容值@Vds  250 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  6.1 nC @ 5 V  
  封装类型  HVMDIP  
  高度  3.37mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.29mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  1.3 W  
  最大连续漏极电流  1 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  540 mΩ  
  最大栅源电压  ±10 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 5mm  Vishay 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  Vishay 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm   典型关断延迟时间 16 ns  Vishay 典型关断延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 16 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 16 ns   典型接通延迟时间 9.3 ns  Vishay 典型接通延迟时间 9.3 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.3 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.3 ns   典型输入电容值@Vds 250 pF @ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 250 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 250 pF @ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 250 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 6.1 nC @ 5 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 6.1 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.1 nC @ 5 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.1 nC @ 5 V   封装类型 HVMDIP  Vishay 封装类型 HVMDIP  MOSFET 晶体管 封装类型 HVMDIP  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 HVMDIP   高度 3.37mm  Vishay 高度 3.37mm  MOSFET 晶体管 高度 3.37mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 3.37mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.29mm  Vishay 宽度 6.29mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.29mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.29mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  Vishay 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 1.3 W  Vishay 最大功率耗散 1.3 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W   最大连续漏极电流 1 A  Vishay 最大连续漏极电流 1 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1 A   最大漏源电压 100 V  Vishay 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 540 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 540 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 540 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 540 mΩ   最大栅源电压 ±10 V  Vishay 最大栅源电压 ±10 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Vishay 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1V  Vishay 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
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IRLD110PBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRLD110PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

RoHS: Compliant

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IRLD110
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

RoHS: Not compliant

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IRLD110PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRLD110PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRLD110PBF)

RoHS: Not Compliant

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IRLD110PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRLD110PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRLD110PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET, N, LOGIC, HEXDIP

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IRLD110PBF
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRLD110PBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

RoHS: Compliant

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IRLD110PBF
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Vishay Semiconductors

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.54Ohm, ID 1A, HD-1, PD 1.3W, VGS +/-10V, VF 2.

RoHS: Compliant

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IRLD110PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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Vishay Siliconix - IRLD110PBF - MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

详细描述:通孔 N 沟道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP

型号:IRLD110PBF
仓库库存编号:IRLD110PBF-ND
别名:*IRLD110PBF <br>

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRLD110PBF.
VISHAY IRLD110PBF.
1013423

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRLD110PBF - Vishay N沟道 Si MOSFET IRLD110PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装

制造商零件编号:
IRLD110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-338
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Siliconix / Vishay - IRLD110PBF - MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP|70459629 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP


型号:IRLD110PBF
仓库库存编号:70459629

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Vishay PCS - IRLD110PBF - VF 2. VGS +/-10V PD 1.3W HD-1 ID 1A RDS(ON) 0.54Ohm VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70078982 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.54Ohm; ID 1A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-10V; VF 2.


型号:IRLD110PBF
仓库库存编号:70078982

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Vishay PCS - IRLD110PBF - VF 2. VGS +/-10V PD 1.3W HD-1 ID 1A RDS(ON) 0.54Ohm VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70078982 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.54Ohm; ID 1A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-10V; VF 2.


型号:IRLD110PBF
仓库库存编号:70078982

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Vishay PCS - IRLD110PBF - VF 2. VGS +/-10V PD 1.3W HD-1 ID 1A RDS(ON) 0.54Ohm VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70078982 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.54Ohm; ID 1A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-10V; VF 2.


型号:IRLD110PBF
仓库库存编号:70078982

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Vishay PCS - IRLD110PBF - VF 2. VGS +/-10V PD 1.3W HD-1 ID 1A RDS(ON) 0.54Ohm VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70078982 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.54Ohm; ID 1A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-10V; VF 2.


型号:IRLD110PBF
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IRLD110PBF|VISHAYIRLD110PBF
VISHAY
单 N 沟道 100 V 0.54 Ohms 通孔 功率 Mosfet - HVMDIP-4
Rohs

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无图IRLD110PBF
VISHAY
单 N 沟道 100 V 0.54 Ohms 通孔 功率 Mosfet - HVMDIP-4
Rohs

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IRLD110PBF|Vishay SemiconductorsIRLD110PBF
Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp
Rohs

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IRLD110PBF|Vishay SiliconixIRLD110PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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IRLD110PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRLD110PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N HEXDIP
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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IRLD110PBF产品技术参数资料

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