STGP7H60DF,906-2802,STMicroelectronics STGP7H60DF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics STGP7H60DF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
STGP7H60DF
库存编号：
906-2802
STMicroelectronics STGP7H60DF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


数据正在加载中...

STGP7H60DF产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGP7H60DF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 15.75mm  
  额定能量  351μJ  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.75mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  1050pF  
  最大功率耗散  88 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  14 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

STGP7H60DF相关搜索

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  IGBT 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm   额定能量 351μJ  STMicroelectronics 额定能量 351μJ  IGBT 晶体管 额定能量 351μJ  STMicroelectronics IGBT 晶体管 额定能量 351μJ   封装类型 TO-220  STMicroelectronics 封装类型 TO-220  IGBT 晶体管 封装类型 TO-220  STMicroelectronics IGBT 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.75mm  STMicroelectronics 高度 15.75mm  IGBT 晶体管 高度 15.75mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 高度 15.75mm   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.6mm  STMicroelectronics 宽度 4.6mm  IGBT 晶体管 宽度 4.6mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 宽度 4.6mm   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics IGBT 晶体管 引脚数目 3   栅极电容 1050pF  STMicroelectronics 栅极电容 1050pF  IGBT 晶体管 栅极电容 1050pF  STMicroelectronics IGBT 晶体管 栅极电容 1050pF   最大功率耗散 88 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 88 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 88 W  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大功率耗散 88 W   最大集电极-发射极电压 600 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 14 A  STMicroelectronics 最大连续集电极电流 14 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 14 A  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 14 A   最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

IGBT 600V 14A 88W TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed

RoHS: Compliant

搜索
  日本1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

IGBT

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: STGP7H60DF)

RoHS: Compliant

搜索
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: STGP7H60DF)

RoHS: Not Compliant

搜索
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: STGP7H60DF)

RoHS: Not Compliant

搜索
  日本2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

RoHS: Compliant

搜索
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

RoHS: Compliant

搜索
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

RoHS: Compliant

搜索
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

RoHS: Compliant

搜索
  日本3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

RoHS: Compliant

搜索
STGP7H60DF
[更多]		 STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

RoHS: Compliant

搜索
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STGP7H60DF - STMicroelectronics STGP7H60DF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
STGP7H60DF
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
906-2802
搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图STGP7H60DF
STMicroelectronics		 IGBT 600V 14A 88W TO-220AB
PDF下载 		查价格库存
查看详细
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

STMicroelectronics - STGP7H60DF - IGBT 600V 14A 88W TO-220AB		STMicroelectronics
IGBT 600V 14A 88W TO-220AB
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 14A 88W Through Hole TO-220

型号：STGP7H60DF
仓库库存编号：497-16018-5-ND
别名：497-16018-5 <br>

无铅		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示