IRG4BC30W-SPBF,864-0906,Infineon IRG4BC30W-SPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 D2PAK封装 ,Infineon
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Infineon IRG4BC30W-SPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
IRG4BC30W-SPBF
库存编号：
864-0906
Infineon IRG4BC30W-SPBF
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IRG4BC30W-SPBF
库存编号:IRG4BC30W-SPBF-ND		 Infineon Technologies AG IGBT 600V 23A 100W D2PAK0
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IRG4BC30W-SPBF International Rectifier 23A, 600V, N-CHANNEL IGBT98
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IRG4BC30W-SPBF产品详细信息

单 IGBT 超过 21A，Infineon

优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT

IRG4BC30W-SPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  30 → 150kHz  
  宽度  9.65mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  100 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  23 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IRG4BC30W-SPBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  IGBT 晶体管 长度 10.67mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm   封装类型 D2PAK  Infineon 封装类型 D2PAK  IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  Infineon 高度 4.83mm  IGBT 晶体管 高度 4.83mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 4.83mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 30 → 150kHz  Infineon 开关速度 30 → 150kHz  IGBT 晶体管 开关速度 30 → 150kHz  Infineon IGBT 晶体管 开关速度 30 → 150kHz   宽度 9.65mm  Infineon 宽度 9.65mm  IGBT 晶体管 宽度 9.65mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 9.65mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 100 W  Infineon 最大功率耗散 100 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 100 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 100 W   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 23 A  Infineon 最大连续集电极电流 23 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 23 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 23 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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IRG4BC30W-SPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IGBT 600V 23A 100W D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRG4BC30W-SPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT

RoHS: Compliant

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IRG4BC30W-SPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRG4BC30W-SPBF)

RoHS: Compliant

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IRG4BC30W-SPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRG4BC30W-SPBF)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRG4BC30W-SPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT IN AD2-PAK PACKAGE

RoHS: Compliant

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IRG4BC30W-SPBF
[更多]		 International Rectifier

23A, 600V, N-CHANNEL IGBT

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IRG4BC30W-SPBF|International RectifierIRG4BC30W-SPBF
International Rectifier		IGBT WARP 600V 23A D2PAK
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Infineon - IRG4BC30W-SPBF - Infineon IRG4BC30W-SPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
IRG4BC30W-SPBF
品牌：
Infineon
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IRG4BC30W-SPBF|International RectifierIRG4BC30W-SPBF
International Rectifier		IGBT WARP 600V 23A D2PAK
Rohs

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IRG4BC30W-SPBF|International RectifierIRG4BC30W-SPBF
International Rectifier		IGBT WARP 600V 23A D2PAK
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IRG4BC30W-SPBF产品技术参数资料

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